采用TI***的電源模塊產品組合進行設計，可實現寬輸入電壓和輸出電流范圍、靈活的封裝選項和易于使用的集成解決方案，適用于各種非隔離、工業(yè)、醫(yī)療和通信應用。 特克集團，專業(yè)經營電源穩(wěn)壓IC，專業(yè)產品顧問為您服務！歡迎新老客戶來旬！UC2827DWTR-1穩(wěn)壓IC

升壓升壓轉換器-數據表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC

集成功率MOSFET開關。可實現的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降壓升壓轉換器-ADC/DC轉換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員

轉換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產生調節(jié)的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業(yè)和汽車應用提供了前列的性能。 UCC3805DTRG4穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克就夠了，原廠現貨！期待您的光臨！

德州儀器 穩(wěn)壓IC技術專題

圖13顯示了在400 kHz開關頻率下運行的buck變換器的EMI測量結果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。

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功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術，與穩(wěn)壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。

NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 UC2827DWTR-1穩(wěn)壓IC

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