功率密度
在更小的空間實現更大的功率,以更低的系統成本增強系統功能隨著功率需求的增加,電路板面積和高度正在成為限制因素。電力設計師必須在應用中加入更多的電路,以使其產品與眾不同,同時提高效率和熱性能?,F在,使用TI的先進工藝、封裝和電路設計技術,可以以更小的外形尺寸實現更高的功率水平。
產生較少熱量的設備
?業界先進的功率處理節點,適用于<100 V
?600-V氮化鎵(GaN)器件具有很好的開關性能
熱圖像比較了更高的效率對溫升的影響。
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降低低頻和高頻范圍內電磁干擾的常規方法-穩壓IC技術專題
當系統共享公共物理觸點時,開關電源中不連續電流產生的輸入電壓紋波可傳導至其他系統。如果沒有適當的緩解措施,過大的輸入或輸出電壓紋波可能會危及電源、負載或相鄰系統的運行。
傳統上,您可以通過使用基于無源電感電容器(LC)的EMI濾波器來**小化輸入紋波,如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規范所需的衰減。
取舍是根據所需衰減對系統的尺寸和成本進行懲罰,這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設計的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減,因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。
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新的UCC3808x系列穩壓IC基于UCC3808A體系結構。
主要區別包括向CS信號添加可編程斜率補償斜坡和移除誤差放大器。通過外部電阻器流出ISET引腳的電流在內部進行監控,以設置斜率補償功能的大小。該裝置還包括一個從CS引腳到接地的內部放電晶體管,該晶體管在脈沖終止后的每個時鐘周期被***。這將在每個周期中釋放CS引腳上的任何濾波器電容,并有助于**小化濾波器電容值和電流檢測延遲。
UCC38083穩壓IC和UCC38084設備穩壓IC的典型軟啟動間隔時間為3.5 ms,而對于不需要內部軟啟動的應用,UCC38085和UCC38086的軟啟動間隔時間小于100μs。
穩壓IC專題
由于DC/DC轉換器的功率路徑中存在寄生電感,高轉換率還會導致高頻開關節點振鈴,從而進一步增加振鈴頻率及以上的發射。
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下頁的圖7顯示了切換節點上的轉換速率和相關振鈴如何影響排放。限制開關轉換引起的EMI發射的傳統方法是通過在開關設備的柵極驅動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導致轉換速度變慢,導致更快的發射衰減,并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發射。然而,這種開關邊緣的減速會導致開關轉換器的峰值電流效率降低2%-3%。
TI穩壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉硅芯片,并將其直接放置在引線框架上,以比較大限度地減少由運行開關電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結構和優點。
隨著功率回路電感的改善,熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻,從而提高效率,同時使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設備的另一個好處是,它們有助于并行輸入路徑引腳,即DC/DC轉換器輸入電容的布局安排。通過優化DC/DC轉換器的引腳,使輸入電容器的布局具有對稱性,輸入功率回路產生的反向磁場位于對稱回路內,從而將對附近系統的發射降至比較低。平行輸入路徑進一步將高頻EMI降至比較低,尤其是在**嚴格的FM頻段,如下圖17所示。
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什么是TI穩壓IC的EMI, 續。。。
TI穩壓IC的EMI如 下頁的圖2顯示了傳導發射的通用測試設置,包括電源、線路阻抗穩定網絡(LISN)、EMI接收器、電源線和被測設備(DUT)。LISN起著關鍵作用,充當低通濾波器,確保重復性和
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EMI測量的可比性,并為DUT提供精確的阻抗。圖2還說明了一個重要的細分
發射到共模(CM)和差模(DM)電流。DM電流在電源線及其回路之間流動,在低頻率下是主導因素。
CM電流在每條電源線和地面之間流動,是高頻下的主導因素。
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