TI穩(wěn)壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉(zhuǎn)硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運(yùn)行開(kāi)關(guān)電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時(shí)使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設(shè)備的另一個(gè)好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電容的布局安排。通過(guò)優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對(duì)稱性，輸入功率回路產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)位于對(duì)稱回路內(nèi)，從而將對(duì)附近系統(tǒng)的發(fā)射降至比較低。平行輸入路徑進(jìn)一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴(yán)格的FM頻段，如下圖17所示。
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穩(wěn)壓IC專題知識(shí)，
為了**小化濾波電感的尺寸，您可以為SMPS設(shè)計(jì)選擇更高的開(kāi)關(guān)頻率。然而，切換器操作時(shí)應(yīng)避免使用敏感頻段。
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例如，傳統(tǒng)上，汽車電源解決方案的優(yōu)先開(kāi)關(guān)頻率為亞AM頻段（約400 kHz）。
選擇更高的開(kāi)關(guān)頻率以**小化電感器尺寸意味著您必須避免整個(gè)AM頻段（525至1705 kHz），以便在更嚴(yán)格的汽車EMI頻段中沒(méi)有基本開(kāi)關(guān)雜散。
德州儀器（TI）的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率高于1.8 MHz，以滿足EMI頻段的要求。向更高開(kāi)關(guān)頻率的推進(jìn)對(duì)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換上升和下降時(shí)間施加了嚴(yán)格限制，以減少開(kāi)關(guān)損耗。然而，如圖6所示，上升和下降時(shí)間很短的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)即使在接近其100次諧波的高頻下也能保持較高的能量含量，這再次突出了高效率和低EMI之間的權(quán)衡。
節(jié)能：使用低IQ穩(wěn)壓ICLDOTI的穩(wěn)壓IC
低IQLDO有助于在各種應(yīng)用程序中節(jié)省電源。通過(guò)將靜態(tài)電流消耗保持在比較低限度，這些LDO延長(zhǎng)了電池壽命，管理了備用電源，并優(yōu)化了電池備份系統(tǒng)。清理電源：使用穩(wěn)壓IC低噪音LDO.TI的**噪聲LDO解決方案為**敏感的負(fù)載供電提供了一種簡(jiǎn)單有效的方法。低噪聲LDO消除電壓紋波，提供清潔的直流電源，確保比較好信號(hào)完整性。
具有寬VIN和電流保護(hù)的魯棒LDO 穩(wěn)壓IC 增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性.
TI的寬輸入電壓LDO（高達(dá)100V）有助于管理自動(dòng)化系統(tǒng)、電器和HVAC應(yīng)用的大瞬態(tài)電壓。寬VINLDO具有折疊電流、反向電流、熱穩(wěn)定性和對(duì)地短路保護(hù)等其他高性能功能，可保護(hù)任何系統(tǒng)免受損壞。
升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC
集成功率MOSFET開(kāi)關(guān)。可實(shí)現(xiàn)的實(shí)際輸出電流的粗略估計(jì)是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進(jìn)行估計(jì)：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無(wú)論VIN高于或低于VOUT。
TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個(gè)功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無(wú)縫過(guò)渡。
分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個(gè)成員
轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個(gè)輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負(fù)電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時(shí)為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供了前列的性能。
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圖8說(shuō)明了時(shí)域和頻域中的這些參數(shù)。-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
在CISPR 25等標(biāo)準(zhǔn)中，通常會(huì)將fm設(shè)置在9 kHz左右，以優(yōu)化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內(nèi)。為了解決這一問(wèn)題，您可以進(jìn)一步以偽隨機(jī)方式調(diào)制三角調(diào)制，以傳播可聽(tīng)能量，而不會(huì)對(duì)傳導(dǎo)和輻射EMI性能產(chǎn)生重大影響。下頁(yè)的圖9說(shuō)明了時(shí)域和頻域中的這種調(diào)制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器）上的一個(gè)功能。
EMI不僅限于單個(gè)頻帶（因此也限于單個(gè)RBW），而是多個(gè)頻帶的事實(shí)帶來(lái)了困境，因?yàn)閿U(kuò)頻通常只能針對(duì)單個(gè)頻帶的改進(jìn)。解決這個(gè)問(wèn)題的一種新方法是一種稱為雙隨機(jī)擴(kuò)頻（DRSS）的數(shù)字?jǐn)U頻技術(shù)。DRS背后的基本原理是疊加兩個(gè)調(diào)制剖面，每個(gè)調(diào)制剖面針對(duì)不同的RBW。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告“EMI抑制技術(shù)，雙隨機(jī)擴(kuò)頻”
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降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法2-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
另一種緩解EMI的傳統(tǒng)方法是使用擴(kuò)頻（或時(shí)鐘抖動(dòng)）來(lái)調(diào)制開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率，這將減少與基本開(kāi)關(guān)頻率及其諧波相關(guān)的頻譜峰值，但以增加噪聲地板為代價(jià)，如圖5所示。
擴(kuò)頻技術(shù)是一種很有吸引力的技術(shù)，因?yàn)樗子趯?shí)現(xiàn)，而且您可以將其與其他EMI降低方法結(jié)合使用。然而，它并不是***的，因?yàn)樗荒芟鄬?duì)減少現(xiàn)有的電磁干擾，而且本質(zhì)上，它的性能隨著開(kāi)關(guān)頻率的降低而降低。此外，您傳統(tǒng)上只能將擴(kuò)頻應(yīng)用于單個(gè)頻帶，原因我們將在下一節(jié)中探討。
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