TI穩壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因為它有可能在設計階段后期造成重大挫折，這將耗費時間和金錢。
開關電源（SMPS）是現代技術中**普遍的電路之一，在大多數應用中，它比線性穩壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的，因為開關電源中的功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的開關使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續的輸入電流、開關節點上的快速轉換率、，
以及功率環路中寄生電感引起的沿開關邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉換器拓撲在不同的頻帶中表現出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關頻率以減小尺寸和成本，并增加轉換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術不要影響電源設計。
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低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢
增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性，監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術，以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯誤源
?利用TI高度優化的低噪聲互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝，減少工藝的非理想性。
?利用先進的電路和測試技術減少工藝非理想性的影響。
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穩壓IC-電源發展趨勢
功率密度功率更大，布板空間更小。
TI的高功率密度器件產品系列的設計亮點在于采用了SWIFT?降壓穩壓器系列，在緊湊的熱增強型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開關穩壓器是為FPGA和處理器等高電流數字負載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具，查找可優化FPGA或處理器的合適產品。低EMI降低開關穩壓器的EMI可能是許多電源設計人員面臨的一項主要挑戰。采用內置EMI消減技術的器件不僅能縮短設計時間，還有助于符合CISPR255類等嚴苛標準。
包裹散熱-穩壓IC知識
?熱棒? 包裝材料
?增強型熱棒QFN，支持熱墊
HotRodTM封裝消除了鍵合線，同時保持了優異的熱性能。
支持小型無源器件的拓撲和電路
?多電平變流器拓撲
?高級功率級門驅動器
多級拓撲結構可實現更小的磁性。
集成比較大限度地減少寄生并減少系統占用F
?MicroSiP 3D模塊集成
?具有低回路電感的GaN和驅動器多芯片模塊（MCM）
GaN+柵驅動器MCM可減少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP軟件包。
Tech-Trekt提供全系列TI穩壓IC。
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隔離
以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性-穩壓IC技術趨勢
隔離是指在存在危險高壓時的可靠保護。電流隔離將兩個區域電隔離，允許功率或信號通過屏障傳輸，而不影響人身安全
安全性，同時防止接地電位差，提高抗噪性。TI的隔離技術組合，包括電容性SiO2絕緣屏障和集成變壓器，有助于超越Verband der Automobilindustrie（VDA）、加拿大標準協會（CSA）和美國保險商實驗室（UL）的標準，而不會影響性能。要了解有關隔離的更多信息，請參閱我們的所有隔離解決方案。
傳輸信號
?采用高質量隔離技術、低延遲數據傳輸和出色的共模瞬態抗擾度（CMTI），提高系統魯棒性和可靠性。
傳輸功率
?通過在單個封裝中集成傳輸電源所需的高壓隔離組件，減少熱負荷并簡化EMI合規性。
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集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開關節點振鈴的增加，大輸入功率環路在高頻段會導致更高的發射。
在設備封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低，從而減少EMI。
該技術用于LMQ62440-Q1降壓轉換器，如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件），包括集成和不集成旁路電容器。結果表明，在**嚴格的電視頻段（200至230 MHz）內，發射降低了9 dB，這有助于系統保持在行業標準設定的EMI限值下，而無需在電路板上安裝其他組件。
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