晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。三極管排列方式有PNP和NPN兩種。佛山大電流三極管生產廠家

在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電子流。由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Icn，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibn。佛山小電流三極管加工廠三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結。

雙極型三極管的電流傳輸關系：發射結加正偏時，從發射區將有大量的電子向基區擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區向發射區也有空穴的擴散運動，但其數量小，形成的電流為IEP。這是因為發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度。進入基區的電子流因基區的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區被復合的電子形成的電流是 IBN。

三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式，三極管是一種結型電阻器件，它的三個引腳都有明顯的電阻數據，測試時（以數字萬用表為例，紅筆+，黒筆-）我們將測試檔位切換至 二極管檔 （蜂鳴檔）標志符號：正常的NPN結構三極管的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的正向電阻是430Ω-680Ω（根據型號的不同，放大倍數的差異，這個值有所不同）反向電阻無窮大；正常的PNP 結構的三極管的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無窮大。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的關鍵元件。

三極管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發射極電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產生隨之變化的壓降U2。U2經C2耦合后得到交流輸出信號Uo。由于Uo與Ui的相位相同，所以該放大器也叫射極跟隨放大器，簡稱射極跟隨器。通過以上分析可知，共集電極放大器的輸入信號Ui是從放大器的基極、發射極之間輸入的，輸出信號Uo取自發射極。由于U2等于Ub?0.6V，所以該放大器有電流放大功能，而沒有電壓放大功能。三極管按安裝方式:插件三極管、貼片三極管。臺州晶體三極管價格

三極管產品參數hFE電流放大倍數。佛山大電流三極管生產廠家

發射結加正偏時，從發射區將有大量的電子向基區擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區向發射區也有空穴的擴散運動，但其數量小，形成的電流為IEP。這是因為發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度。 進入基區的電子流因基區的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區被復合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結反偏，使集電結區的少子形成漂移電流ICBO。佛山大電流三極管生產廠家

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