Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生，同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)（如固態(tài)激光光源）符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%，助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強(qiáng) 10 倍。天津POLOSBEAM光刻機(jī)

植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能，表面微圖案可remarkable影響細(xì)胞 - 電極界面。Polos 光刻機(jī)在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經(jīng)工程團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%，信號(hào)采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實(shí)驗(yàn)中，單神經(jīng)元信號(hào)識(shí)別率從 60% 提升至 85%，為腦機(jī)接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。黑龍江德國POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米未來技術(shù)儲(chǔ)備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。

一家專注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機(jī)取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進(jìn)細(xì)胞的生長和組織的修復(fù)。Polos 光刻機(jī)能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過該光刻機(jī)制造的支架，在動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出優(yōu)異的細(xì)胞黏附和組織生長引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機(jī)生產(chǎn)的支架，細(xì)胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。

超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長量級(jí)的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時(shí)優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時(shí)，推動(dòng)超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。柔性電子：曲面 OLED 驅(qū)動(dòng)電路漏電降 70%，彎曲半徑達(dá) 1mm，適配可穿戴設(shè)備。

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時(shí)，Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實(shí)驗(yàn)室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達(dá) 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī)，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護(hù)成本低，設(shè)備殘值率達(dá) 60%。河北BEAM-XL光刻機(jī)光源波長405微米

Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無掩模光刻技術(shù)普及。天津POLOSBEAM光刻機(jī)

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實(shí)時(shí)觀測與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。天津POLOSBEAM光刻機(jī)