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上海BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

來源: 發布時間:2025-07-04

單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構,傳統光刻難以實現多尺度結構集成。Polos 光刻機的分層曝光功能,在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區與 50μm 寬的廢液通道,通道高度誤差控制在 ±2% 以內。某細胞生物學實驗室利用該芯片,將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒,分選純度達 98%,較傳統流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環tumor細胞檢測,使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍,相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。實時觀測系統:120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡,實現加工過程動態監控。上海BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

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植入式神經電極需要兼具生物相容性與導電性能,表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔,某神經工程團隊發現該結構使神經元突觸密度提升 20%,信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據不同腦區結構定制電極陣列,在大鼠海馬區電生理實驗中,單神經元信號識別率從 60% 提升至 85%,為腦機接口技術的臨床轉化奠定了硬件基礎。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。天津桌面無掩模光刻機光學超材料突破:光子晶體結構precise制造,賦能超透鏡與隱身技術研究。

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某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列,器件的讀寫速度達 10ns,較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料,芯片實現了計算與存儲的原位融合,能效比達 1TOPS/W,較傳統馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備,使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms,相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道,傳統工藝需多次掩模對準,良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術,支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道,將良率提升至 85%。某微系統實驗室利用該特性,開發出可實時切換流路的生化分析芯片,通過軟件輸入不同圖案,10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備,使現場快速檢測系統的體積縮小 60%,檢測時間縮短至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。跨學科應用:覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領域。

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SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本,無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描,單次寫入區域達400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了其優勢。微型傳感器量產:80 μm開環諧振器加工能力,推動工業級MEMS傳感器升級。天津桌面無掩模光刻機

微流體3D成型:復雜流道快速曝光,助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統研發。上海BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設計降低實驗室設備投入,光束引擎通過壓電驅動實現高速掃描(單次寫入400 μm區域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費,為中小型實驗室提供經濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。上海BEAM-XL光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

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