Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術結合，可定制激光輪廓以優化能量分布，減少材料蒸發和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領域技術融合為工業級微納制造（如光學元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優化曝光參數（如能量密度與聚焦深度）實現不同材料的高質量加工。例如，使用AZ5214E時，可調節光束強度以減少側壁粗糙度，提升微結構的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現outstanding26。POLOS μ：超緊湊設計，納米級精度專攻微流控與細胞芯片。四川光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。重慶德國POLOS光刻機全球產業鏈整合：德國精密制造背書，與Lab14集團共推光通信芯片封裝技術。

超表面通過納米結構調控光場，傳統電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優化結構參數，使器件研發周期從數周縮短至 24 小時，推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發。閉環自動對焦系統（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。

無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。吉林POLOSBEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

柔性電子：曲面 OLED 驅動電路漏電降 70%，彎曲半徑達 1mm，適配可穿戴設備。四川光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。四川光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸