只有使器件中的電流減到低于某個數值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負值時，器件才可恢復到關閉狀態。多種用途的，根據結構及用途的不同，它已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；1、快速的。這種可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關、電脈沖加工電源、激光電源和雷達調制器等電路中。2、雙向的。它的特點是可以使用正的或負的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導通。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈米調節及直流電極調速和換向電路等。3、逆導的。主要用于直流供電國輛（如無軌電車）的調速。4、可關斷的。這是一種新型產品，它利用正的控制極脈沖可觸發導通，而用負的控制極脈沖可以關斷陽極電流，恢復阻斷狀態。利用這種特性可以做成無觸點開關或用直流調壓、電視機中行掃描電路及高壓脈沖發生器電路等。在性能上，可控硅模塊不具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件，更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快。淄博正高電氣團隊從用戶需求出發。黑龍江單相可控硅調壓模塊

可控硅模塊的五種主要參數體積小、重量輕、可靠性高、價格低，這是人們對可控硅模塊的定義。可控硅模塊憑借著上述的優點，一經誕生就受到了廣大電力半導體廠家的熱捧，可謂是供不應求。可控硅模塊通常被稱為功率半導體模塊。它是由三個PN結的四層結構組成的大功率半導體器件。，正高的小編就和大家聊聊可控硅模塊的五種主要參數：1.額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2.正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3.反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4.控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的極小控制極電流和電壓。5.維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅模塊導通所必需的極小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅。煙臺可控硅異相觸發器模塊生產廠家淄博正高電氣降低客戶風險才是能夠良好合作的開始。

可控硅器件與雙極型晶體管有密切的關系，二者的傳導過程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅的開關機制和雙極晶體管是不同的，且因為器件結構不同，可控硅器件有較寬廣范圍的電流、電壓控制能力。現今的可控硅器件的額定電流可以從幾毫安到5000A以上，額定電壓可以超過10000V。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。該器件被P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形，從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。淄博可控硅模塊廠家當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小；導通角越小，導通狀態越少,則電壓有效值越小，所產生的磁場越小，則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。以上就是正高小編和大家講解的可控硅調速原理。眾所周知，雙向可控硅是在可控硅的基礎上發展而成的，它不能代替兩只反極性并聯的可控硅。

有時可能是交流電的大值。根據電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產生反向自感電勢，反對外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢越高，有時甚至超過電源電壓而擊穿可控硅。因此，可控硅控制電感負載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值。此外，可控硅兩電極間還要并聯接入RC尖峰吸收電路。常用10—30Ω/3W以上電阻和—。交流調功電路中，可控硅是在交流電過零期間所關斷的，從理論上來講，關斷時候的電流變化狀況是零，沒有感應電壓的產生。加入RC尖峰電路，目的是為了可控硅導通時的自感電勢尖峰。如果不加入電路，不但可控硅極易擊穿，負載電路的電感線圈也會產生匝間、或電機繞組間擊穿，這個點是不能忽視的。以上就是可控硅的應用，你學會了嗎？在生活中，只要不是專業人士，我想大部分的人都會把可控硅和晶閘管這兩者給搞混，很多的人都不會正確認識可控硅和晶閘管，有的人回說只是兩者叫法不同而已。接下來，正高小編就和大家分享一下，可控硅和晶閘管兩者的區別：先說一下可控硅可控硅簡稱“SCR”，是一種大功率的電器元件，也叫晶閘管。可控硅具有體積小、壽命長等優點。在工作中，可控硅大量運用與設備及系統中。淄博正高電氣努力實施人才興廠,優化管理。

在設計雙向可控硅模塊觸發電路時，盡可能避免使用3+象限（wt2-，+）。為了減少雜波吸收，將柵極連接的長度變小，可以直接返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果使用硬線，則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻小于等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯。另一種解決方案是使用H系列低靈敏度雙向可控硅模塊。規則5：如果DVD/DT或DVCOM/DT出現了問題，可以再在MT1和MT2之間增加RC緩沖電路。如果高的DICOM/DT可能會引起問題，增加幾個mh電感和負載串聯。另一種解決方案是使用hi-com雙向可控硅模塊。標準6：在嚴重和異常供電的瞬時過程中，如果可能超過雙向可控硅模塊的電壓互感器，則采取以下措施之一：在負載上設置幾個μH的串聯電感，以限制DIT/DT的電壓互感器；連接電源，并在電源側增加濾波電路。準則7：選擇一個良好的觸發電路，避免象限條件，可以較大限度地提高雙向可控硅模塊的DIT/DT承載能力。標準8：如果雙向可控硅模塊的DIT/DT可能超過，在負載上串聯一個沒有電感或負溫度系數為幾μH的熱敏電阻。另一種解決方案是電阻負載的零電壓傳導。規則9：當裝置固定在散熱器上時，避免對雙向可控硅模塊施加壓力，然后焊接導線。淄博正高電氣以客戶永遠滿意為標準的一貫方針。吉林可控硅智能調壓模塊廠家

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按照關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻可控硅。過零觸發，一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅參數介紹，非過零觸發，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發。以上就是可控硅的分類，你看懂了沒？在電子元器件中，運用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開關、調壓的執行器件都是非常方便的，不是這樣，而且還可以控制直流、交流電路的負載功率。在這里，小編就和大家聊一下可控硅在現實生活中的應用范圍：1、觸發電路的問題如果要讓可控硅觸發導通，除了要有足夠的觸發脈沖幅度和正確的極性以外，觸發電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點。有些電路從表面看，觸發脈沖被加到可控硅的觸發極G，但可控硅的陰極和觸發信號卻無共同參考點，觸發信號并未加到可控硅的G—K之間，可控硅不可能被觸發。2、電感負載的應用可控硅用于控制電感負載，譬如電風扇、交流接觸器、有變壓器的供電設備等，則不同。因為這種移相式觸發電路，可控硅在交流電半周持續期間導通，半周過零期間截止。當可控硅導通瞬間，加到電感負載兩端電壓為交流電的瞬時值。黑龍江單相可控硅調壓模塊

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