紅外熱像儀QWIP的基礎結構是多量子阱結構,雖然該結構可以被許多Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料所實現,但基于GaAs/鋁鎵砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是應用***?技術成熟?性能優異的QWIP?對于通過改變GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相應的QWIP連續覆蓋MIR?LWIR甚至VLWIR波段?GaAs/AlGaAs材料體系在Ⅲ-Ⅴ族半導體材料團體里能一枝獨秀的**主要原因是,它與GaAs襯底在所有的A1組分條件下都能實現非常完美的晶格匹配,這一優勢使該材料體系的生長技術既成熟又低廉,極大地推動了GaAs/AlGaAs QWIP的發展?一般而言,大家所謂的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP?紅外熱像儀的測量精度如何？無人機**紅外熱像儀量大從優

紅外熱像儀可以用于醫學診斷和疾病篩查。以下是一些常見的應用場景：體溫檢測：紅外熱像儀可以非接觸地測量人體表面的溫度，用于快速篩查體溫異常。特別是在公共場所、機場、車站等需要大規模人員篩查的地方，紅外熱像儀可以快速檢測出體溫異常者，有助于防止傳染病的擴散。血液循環檢測：紅外熱像儀可以觀察人體皮膚表面的血液循環情況，通過檢測血管的熱量分布來評估血液循環的狀況。這對于一些心血管疾病的早期篩查和監測具有一定的幫助。乳腺病篩查：紅外熱像儀可以檢測乳房表面的溫度分布，通過觀察溫度異常區域來篩查乳腺病。乳腺病通常會導致局部溫度升高，紅外熱像儀可以幫助醫生會發現潛在的異常區域，進一步進行進一步的檢查和診斷。皮膚病診斷：紅外熱像儀可以觀察皮膚表面的溫度分布，幫助醫生診斷一些皮膚病，如炎癥等。通過觀察溫度異常區域，可以提供額外的信息來輔助醫生的診斷。中波紅外熱像儀售后服務電力行業采用紅外熱像儀對輸電線路和變電站進行定期巡檢，預防電氣故障。

對于該類探測器,基底由Si變為Ge時,其探測波段可從IR延伸到THz,在這里姑且將Si基與Ge基兩類放在一起加以闡述?傳統的非本征探測器是基于被摻雜的Ge或Si作為吸收材料制作而成的結構簡單的PC探測器,主要有Ge:X[X=Hg?Ga?鈹(Be)?鋅(Zn)]?Si:Y[Y=Ga?砷(As)?銦(In)]等類型?這類探測器的響應范圍取決于雜質元素在基底里的離化能量,一般可覆蓋LWIR?VLWIR乃至THz波段,但需要在低溫(<10K)下工作?由于響應波段很寬,非本征探測器被應用到了航天領域,然而困境也隨之出現:在太空中核輻射對探測器響應的影響較大,需要減薄探測器吸收層來降低影響,但這樣也會使量子效率降低

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導體化合物,其帶隙也會隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測器在NIR?MIR和LWIR三個波段都能表現出十分優異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測器的興起,HgCdTe探測器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測器的探測率不如HgCdTe探測器,但由于InSb的材料生長技術比HgCdTe成熟,HgCdTe探測器在該波段已達不到一家獨大的地步;對于LWIR波段,HgCdTe探測器仍具有很強的統治地位?考古學家使用紅外熱像儀探測地下遺跡，無需挖掘即可獲取重要信息。

測量表面溫度一般采用非接觸紅外高溫計，必須注意在測量時需要調整紅外熱像儀所使用的發射率ε，發射率是材料及其表面狀況的特性，采用不正確的發射率會產生明顯的測量誤差。有兩種方法可以在靜態表面上校準發射率，***個方法是使用接觸式高溫計測量溫度，然后將紅外高溫計指向同一點并調整發射率，直到溫度讀數與接觸式溫度計的讀數相同；第二個方法是在被測表面粘上黑膠布，或者涂上黑漆，然后用測得的溫度校準紅外高溫計。常用特定溫度下水泥窯系統表面發射率見表1。安防監控系統整合紅外熱像儀，提高夜間監控能力，保障安全。PYROLINE HS640N compact+紅外熱像儀

通俗地講熱像儀就是將物體發出的不可見紅外能量轉變為可見的熱圖像。無人機**紅外熱像儀量大從優

紅外熱像儀的工作距離是有限制的。紅外熱像儀的工作距離取決于其焦距和像素分辨率。一般來說，紅外熱像儀的工作距離在幾米到幾十米之間。在工作距離范圍內，紅外熱像儀可以提供較為準確的溫度測量結果。然而，當距離目標過遠或過近時，紅外熱像儀的測量精度可能會受到影響。如果距離目標過遠，紅外熱像儀可能無法準確地捕捉到目標的細節和溫度變化，從而導致測量誤差增加。此外，目標與紅外熱像儀之間的距離過遠還可能導致環境因素的影響增加，如大氣散射和輻射能量的衰減。另一方面，如果距離目標過近，紅外熱像儀的視場角可能會變得較小，無法覆蓋目標的整個區域，從而導致測量結果不準確。無人機**紅外熱像儀量大從優