碳化硅SiC的應用前景由于SiC具有上述眾多優異的物理化學性質，不僅能夠作為一種良好的高溫結構材料，也是一種理想的高溫半導體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術的高速發展，SiC薄膜已經被***應用于保護涂層、光致發光、場效應晶體管、薄膜發光二極管以及非晶Si太陽能電池的窗口材料等。另外，作為結構材料的SiC薄膜還被認為是核聚變堆中比較好的防護材料，在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜，可以**地降低氚的滲透率，并保持聚變反應的穩定性。總結起來，SiC具有以下幾個方面的應用：(1)高的硬度與熱穩定性，可用于***涂層；(2)穩定的結構，在核反應技術中用作核聚變堆等離子體的面對材料：(3)大的禁帶寬度，可作為光的短波長區域發光材料。例如，3C-SiC的Eg=2.2eV，6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍色LED材料，目前SiC藍光LED已經商品化；(4)高的熱導率，可作為超大規模集成電路和特大規模集成電路的熱沉材料，**提高了電路的集成度；(5)優異的電學性能，在功率器件、微波器件、高溫器件和抗輻射器件方面也具有***的應用前景。目前商用碳化硅外延設備生長速率一般為每小時10μm，且不能持續生長。遼寧碳化硅襯底6寸led

由于電動汽車（EV）和其他系統的快速增長，對碳化硅（SiC）襯底和功率半導體的需求正在激增。由于需求量大，市場上SiC基板、晶圓和SiC基器件供應緊張，促使一些供應商在晶圓尺寸轉換過程中增加晶圓廠產能。一些SiC器件制造商正在晶圓廠從4英寸晶圓過渡到6英寸晶圓。SiC（碳化硅功率器件）是一種基于硅和碳的化合物半導體材料。在生產流程中，專門的碳化硅襯底和晶圓被開發，然后在晶圓廠中進行加工，從而形成基于碳化硅的功率半導體。許多基于SiC的電源半成品和競爭對手的技術都是晶體管，可以在高壓下切換設備中的電流。它們被用于電力電子領域，在電力電子領域中，設備轉換和控制系統中的電力。進口sic碳化硅襯底6寸n型碳化硅已成為全球半導體產業的前沿和制高點。

    以碳化硅為的第三代半導體材料，被譽為繼硅材料之后有前景的半導體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯造的半導體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用于半導體功率器件和5G通訊等領域。按照襯底電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件，導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與硅片一樣，碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等規格，正在不斷向大尺寸的方向發展。

新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅動。SiC功率器件主要應用于新能源車逆變器、DC/DC轉換器、電機驅動器和車載充電器(OBC)等電控領域，以完成較Si更高效的電能轉換。預計隨著新能源車需求快速爆發，以及SiC襯底工藝成熟、帶來產業鏈降本增效，產業化進程有望提速。1)應用端：解決電動車續航痛點。據Wolfspeed測算，將純電動汽車逆變器中的功率組件改成SiC時,可降低電力電子系統的體積、重量和成本，提升車輛5%-10%的續航。據英飛凌測算，SiC器件整體損耗相比Si基器件降低80%以上，導通及開關損耗減小，有助于增加電動車續航里程。SiC的機械強度、熱學性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優勢且與IC工藝兼容。

    在4H-SiC材料和器件發展方面，美國處于國際地位，已經從探索性研究階段向大規模研究和應用階段過渡。CREE公司已經生產出4英寸(100mm)零微管(ZMP)n型SiC襯底。同時，螺旋位錯(screwdislocation)密度被降低到幾十個／cm2。商用水平比較高的器件：4H-SiCMESFET在S-波段連續波工作60W(，ldB壓縮)，漏效率45％(，POUT=PldB)，工作頻率至。近期CREE公司生產的CRF35010性能達到：工作電壓48V，輸出功率10W，工作頻率，線性增益10dB；美國正在逐步將這種器件裝備在***武器上，如固態相控陣雷達系統、***通訊電子系統、高頻電源系統、電子戰系統——干擾和威脅信號預警等。其中Cree公司的SiCMESFET功率管已經正式裝備美國海軍的新一代預警機E2D樣機。近期俄羅斯、歐洲和日本加快發展，SiC材料生長和器件制造技術也在不斷走向成熟。 SiC襯底吸收380納米以下的紫外光，不適合用來研發380納米以下的紫外LED。四川進口4寸sic碳化硅襯底

SIC禁帶寬度較大，具有熱傳導率高、耐高溫、抗腐蝕、化學穩定性高等特點。遼寧碳化硅襯底6寸led

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結構具有同質多型體的特點，在半導體領域常見的是具有立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC。21世紀以來以Si為基本材料的微電子機械系統(MEMS)已有長足的發展，隨著MEMS應用領域的不斷擴展，Si材料本身的性能局限性制約了Si基MEMS在高溫、高頻、強輻射及化學腐蝕等極端條件下的應用。因此尋找Si的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半導體材料中，SiC的機械強度、熱學性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優勢，且與IC工藝兼容，故而在極端條件的MEMS應用中，成為Si的優先替代材料。遼寧碳化硅襯底6寸led

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