隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，我們首先來探討一下碳化硅襯底的國產化進程。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結構）、六方相（纖鋅礦結構）和菱方相3大類共 260多種結構，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業價值。另碳化硅根據電學性能的不同主要可分為高電阻（電阻率 ≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻（電阻率區間為 15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底，滿足不同功能芯片需求如何正確使用碳化硅襯底的。進口碳化硅襯底4寸導電

因此，對于牽引逆變器，從IGBT轉移到SiCMOSFET是有意義的。但這并不是那么簡單，因為成本在等式中起著重要作用。然而，特斯拉已經采取了冒險行動。該公司在其型號3中使用了意法半導體公司的SiCMOSFET，并補充說特斯拉也在使用其他供應商。其他汽車制造商也在探索這項技術，盡管出于成本考慮，大多數原始設備制造商并未加入這一行列。不過，有幾種方法可以實現從IGBT到SiCMOSFET的切換。根據Rohm的說法，有兩種選擇：?將IGBT保留在系統中，但將硅二極管更換為SiC二極管。?用SiC基MOSFET和二極管替換硅基IGBT和二極管。北京進口4寸半絕緣碳化硅襯底碳化硅襯底的的性價比、質量哪家比較好？

    SiC有多種同質多型體，不同的同質多型體有不同的應用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結構的同質多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導率和高臨界擊穿電場，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領域不可替代的地位，世界上很多國家對SiC半導體材料和器件的研究都很重視。美國的**寬禁帶半導體計劃、歐洲的ESCAPEE計劃和日本的國家硬電子計劃等，紛紛對SiC半導體材料晶體制備和外延及器件投入巨資進行研究。

    半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件；導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。大尺寸碳化硅襯底有助于實現降本增效，已成主流發展趨勢。襯底尺寸越大，單位襯底可生產更多的芯片，因而單位芯片成本越低，同時邊緣浪費的減少將進一步降低芯片生產成本。目前業內企業量產的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主，在半絕緣型碳化硅市場，目前襯底規格以4英寸為主；而在導電型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為6英寸。國際巨頭CREE、II-VI以及國內的爍科晶體都已成功研發8英寸襯底產品。 口碑好的碳化硅襯底的公司聯系方式。

從 80 年代末起，SiC 材料與器件的飛速發展。由于 SiC 材料種類很多，性質各異，它的應用范圍十分***。  在大功率器件方面，利用 SiC 材料可以制作的器件，其電流特性、電壓特性、和高頻特性等具有比 Si材料更好的性質。  在高頻器件方面，SiC 高頻器件輸出功率更高，且耐高溫和耐輻射輻射特性更好，可用于通信電子系統等。  在光電器件方面，利用 SiC 不影響紅外輻射的性質，可將其用在紫外探測器上，在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號，功率利用率 80%左右。  在耐輻射方面，一些 SiC 器件輻射環境惡劣的條件下使用如核反應堆中應用。 高溫應用方面，利用 SiC 材料制備的器件工作溫度相當地高，如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二極管可在 900k 下工作。  從世界范圍來看，高功率器件是有可能實現的，應用潛力也比較大，如圖 1.2所示。SiC 作為二元化合物半導體，屬于Ⅳ族元素中***的固態化合物。它 Si-C 健的能量很穩定，這也是 SiC 在各種極端環境下仍能穩定的原因。SiC 的原子化學能高達 1250KJ/mol；德拜溫度達到 1200-1430K，摩爾硬度達到 9 級，比金剛石摩爾硬度低些；導熱性良好，達 5W/cm.K,比其他半導體材料好很多。碳化硅襯底的使用時要注意什么？4寸導電碳化硅襯底半絕緣

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    SiC材料具有良好的電學特性和力學特性，是一種非常理想的可適應諸多惡劣環境的半導體材料。它禁帶寬度較大，具有熱傳導率高、耐高溫、抗腐蝕、化學穩定性高等特點，以其作為器件結構材料，可以得到耐高溫、耐高壓和抗腐蝕的SiC-MEMS器件，具有廣闊的市場和應用前景。同時SiC陶瓷具有高溫強度大、抗氧化性強、耐磨損性好、熱穩定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高以及抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。因此，是當前有前途的結構陶瓷之一，并且已在許多高技術領域(如空間技術、核物理等)及基礎產業(如石油化工、機械、車輛、造船等)得到應用，用作精密軸承、密封件、氣輪機轉子、噴嘴、熱交換器部件及原子核反應堆材料等。如利用多層多晶碳化硅表面微機械工藝制作的微型電動機，可以在490℃以上的高溫環境下穩定工作。但是SiC體單晶須在高溫下生長，摻雜難于控制，晶體中存在缺點，特別是微管道缺點無法消除，而且SiC體單晶非常昂貴，因此發展低溫制備SiC薄膜技術對于SiC器件的實際應用有重大意義。 進口碳化硅襯底4寸導電

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