氮化鋁陶瓷基板：1、氮化鋁陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。2、AIN晶體以（AIN4）四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。3、化學組成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料，熱膨脹系數（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的高溫。6、氮化鋁陶瓷具有極好的耐侵蝕性。碳化硅陶瓷主要組成物是SiC,這是一種**度、高硬度的耐高溫陶瓷。武漢氧化鋅陶瓷

結構陶瓷的應用結構陶瓷主要是指發揮其機械、熱、化學等性能的一大類新型陶瓷材料，它可以在許多苛刻的工作環境下服役，因而成為許多新興科學技術得以實現的關鍵。光通信產業光通信產業是當前世界上發展為迅速的高技術產業之一，全世界產值已超過30億美元。其所以發展如此迅速主要依賴于光纖損耗機理的研究以及光纖接頭結構材料的使用。我所已成功地運用氧化鋯增韌陶瓷材料開發出光纖接頭和套管，性能優良，很好地滿足了我國光通信產業的發展需要。氧化鈹陶瓷價格氮化硅陶瓷具有極好的耐腐蝕性,除氫氟酸外,能耐其它各種酸的腐蝕,并能耐堿、各種金屬的腐蝕。

    HTCC又稱為高溫共燒多層陶瓷，生產制造過程與LTCC極為相似，主要的差異點在于HTCC的陶瓷粉末并無玻璃材質，因此，HTCC必須在高溫1200~1600°C環境下干燥硬化成生胚，接著同樣鉆上導通孔，以網版印刷技術填孔于印制線路，因其共燒溫度較高，使得金屬導體材料的選擇受限，其主要的材料為熔點較高但導電性卻較差的鎢、鉬、錳…等金屬，***再疊層燒結成型。DBC（DirectBondedCopper)DBC直接接合銅基板，將高絕緣性的AL2O3或AIN陶瓷基板的單面或雙面覆上銅金屬后，經由高溫1065~1085°C的環境加熱，使銅金屬因高溫氧化，擴撒與AL2O3材質產生（Eutectic）共晶熔體，是銅金屬陶瓷基板粘合，形陶瓷復合金屬基板，***依據線路設計，以蝕刻方式備至線路。

紡織陶瓷textileceratnie、又稱紡織瓷用陶瓷材料制作的各類導絲件(如導絲鉤、導絲義、導絲管、導絲環、導絲塊等)、瓷質細膩、硬度高、耐磨性好、丑一作面光滑、對纖維摩擦系數小。其材質一般為硬質瓷、高鋁瓷、剛玉瓷、鉻剛玉或人造藍寶石等，如J}}于高速轉動場合因產生靜電作川會使纖維牛成毛疵，則采用導屯性好的金紅石IfiC)}1瓷和氧化浩{Ir(h)陶瓷替代。成型力一法大都采用熱壓鑄法近來也有采用注塑成型和等靜壓成型新工一藝的。已住天然纖維.合成纖維及玻璃纖維生產中得到廣泛應用。氮化硅陶瓷主要組成物是Si3N4,這是一種高溫強度高、高硬度、耐磨、耐腐蝕并能自潤滑的高溫陶瓷。

    每一種工程陶瓷材料都有其自身的優點和缺點，因此必須針對陶瓷使用的工況進行充分的分析和研究。使用條件不滿足，陶瓷將無法達到預期的使用效果。一般情況下影響陶瓷性能的主要因素如下：1.使用溫度范圍及變化；2.腐蝕介質；3.受力情況；4.硬顆粒碰撞入射角；5.粒子沖蝕強度在所有的陶瓷材料中，主要使用氧化鋁以及碳化硅陶瓷兩種。氧化鋁陶瓷對一般的腐蝕和磨蝕具有極高的抵抗能力，而且性能價格比較高，適合絕大多數場合使用。而燒結碳化硅只在更高溫度，更高韌性以及耐磨性要求條件下才會考慮使用。主要耐磨材料硬度比較圖：耐磨陶瓷起草階段，耐磨陶瓷成形方法有很多種，生產中應根據制品的形狀選擇成形方法，而不同的成形方法需選用的結合劑不同。 根據用途不同,特種陶瓷材料可分為結構陶瓷、工具陶瓷、功能陶瓷。成都氧化鈣陶瓷規格

氮化硅陶瓷可用作高溫軸承、在腐蝕介質中使用的密封環、熱電偶套管、也可用作金屬切削刀具.武漢氧化鋅陶瓷

重量輕其密度為，只為鋼鐵的一半，可**減輕設備負荷。氧化鋁陶瓷分為高純型與普通型兩種：1、高純型氧化鋁陶瓷系Al2O3含量在99．9%以上的陶瓷材料，由于其燒結溫度高達1650—1990℃，透射波長為1~6μm，一般制成熔融玻璃以取代鉑坩堝：利用其透光性及可耐堿金屬腐蝕性用作鈉燈管；在電子工業中可用作集成電路基板與高頻絕緣材料。2、普通型氧化鋁陶瓷系按Al2O3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品種，有時Al2O3含量在80%或75%者也劃為普通氧化鋁陶瓷系列。其中99氧化鋁瓷材料用于制作高溫坩堝、耐火爐管及特殊耐磨材料。武漢氧化鋅陶瓷

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