氧化鈰拋光液。二氧化鈰是玻璃拋光的通用磨削材料。隨著工件尺寸的縮小，傳統的硅容易在尺寸較大的集成電路STI（淺溝隔離）處形成蝶形缺陷。而針對STI的拋光，選擇合適的拋光液是關鍵，采用氧化鈰作為研磨顆粒的第二代拋光液，具有高選擇性和拋光終點自動停止的特性，配合粗拋和精拋，能拋光液中二氧化鈰的粒度是影響拋光效果的關鍵參數之一。目前制備出的二氧化鈰的粒徑多為微米級或亞微米級，粒度分布不均，粒徑大的溶液產生劃痕，嚴重影響到被拋光工件的拋光質量。因此，納米級二氧化鈰的制備及應用是目前研究的熱點之一。夠十分有效解決代STI工藝缺點，是目前重點發展的產品類型之一。本公司銷售的納米拋光液應用范圍：透明陶瓷：高壓鈉燈燈管、EP-ROM窗口。上海研磨拋光用拋光液用途

    據報道，早在新石器時期出土的器件中就有磨光的痕跡。大量出土的秦俑實際制作時已采用了機械磨亮的拋光技術。西漢時期的青銅鏡鏡面加工技術更是負有盛名，在《淮南子》中有對應的描述。以上所有這些表面整平、拋光都是先用簡單的具有一定粗糙度的工具與被整平物體相互摩擦達到整平的目的，然后用較細的砂?；蛉彳浘哂许g性的纖維物配以磨料摩擦進一步達到光亮（拋光）的目的。如宋代已有用氧化鐵作為磨料的拋光技術，這種技術要比國外早數百年。這就是早使用的表面拋光技術，也是至今仍在使用的機械拋光技術的原型。隨后隨著人類社會的進步和科學水平的提高，人們發現將研磨材料做成圓盤形平板或將研磨材料的粒子裝在圓盤或帶子上使其運轉，并將被整平工件的拋光表面放在上面可以得到不同程度的平整和光亮度，而且可以節省人力、提高效率。發展到，這種方法演變成為現代的各種形式的機械拋光技術。 上海研磨拋光用拋光液用途氧化鋁拋光液樸實機械拋光可使樣品外表平整，但是卻無法確保銅不發生，因而適合涂層丈量和邊界層分析。

化學機械拋光編輯 語音這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。

陶瓷拋光液1.本產品不含重金屬、不含有毒有害物質，對環境友好；2.本產品主要由其金剛石微粉、分散穩定劑、懸浮劑、ｐＨ值調節劑、防腐劑、有機溶劑和去離子水組成，3.具有適用性強，產品分散性好，粒度均勻、規格齊全、品質穩定等特點。產品概述本產品是專門針對陶瓷的一款高效研磨液，能快速去除表面缺陷，具有一定的潤滑、冷卻作用，易于研磨后的清洗，懸浮性能好，金屬離子螯合能力強。主要成分：金剛石/硅溶膠應用領域：廣泛應用于各類陶瓷制品（氧化鋁陶瓷、氧化鋯陶瓷、氮化硅陶瓷件、碳化硅陶瓷件、石墨陶瓷件、氮化硼陶瓷等）工件的研磨，具有良好的研磨效果。產品特點：1.本產品不含重金屬、不含有毒有害物質、對環境友好。2.本產品主要由其金剛石微粉、分散穩定劑、懸浮劑、ｐＨ值調節劑、防腐劑、有機溶劑和去離子水組成。3.具有適用性強、產品分散性好、粒度均勻、規格齊全、品質穩定等特點。本公司銷售的氧化鋁拋光液顆粒分散均勻，不團聚，有效避免拋光過程中由于顆粒團聚導致的工件表面劃傷缺點。

研磨液按其作用機理分：機械作用研磨液，化學機械作用研磨液。機械作用的研磨液：以金剛石、B4C等為磨料，通過添加分散劑等方式分散到液體介質中，從而形成具有磨削作用的液體，稱為金剛石研磨液、碳化硼研磨液等。磨料在分散液中游離分布，利用磨料硬度比待磨工件硬度大的原理，實現工件的研磨、減薄。根據磨料的表面、顆粒大小及研磨液配置、研磨設備穩定性等情況，研磨完成后，工件表面容易留下或大或小的劃痕。所以，機械作用的研磨液一般用于粗磨，后續還需要精密研磨拋光。本公司銷售的氧化硅拋光液分散性好、不結晶?。深圳物理拋光液介紹

多晶金剛石拋光液用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。上海研磨拋光用拋光液用途

    LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。CMP技術還的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。 上海研磨拋光用拋光液用途

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