發光二極管基于半導體的電致發光效應,當 PN 結正向導通時,電子與空穴在結區復合,釋放能量并以光子形式發出。半導體材料的帶隙寬度決定發光波長:例如砷化鎵(帶隙較窄)發紅光,氮化鎵(帶隙較寬)發藍光。通過熒光粉轉換技術(如藍光激發黃色熒光粉)可實現白光發射,光效可達 150 流明 / 瓦(遠超白熾燈的 15 流明 / 瓦)。量子阱結構通過限制載流子運動范圍,將復合效率提升至 80% 以上,倒裝焊技術則降低熱阻,延長壽命至 5 萬小時。Micro-LED 技術將芯片尺寸縮小至 10 微米級,像素密度可達 5000PPI,推動超高清顯示技術發展。交通信號燈采用發光二極管,憑借其高亮度、長壽命,保障交通安全有序。崇明區IC二極管廠家電話
檢波二極管利用 PN 結的非線性伏安特性,從高頻載波中提取低頻信號。當調幅波作用于二極管時,正向導通期間電流隨電壓非線性變化,反向截止時電流為零,經濾波后可分離出調制信號。鍺材料二極管(如 2AP9)因導通電壓低(0.2V)、結電容小,適合解調中波廣播信號(535-1605kHz),失真度低于 5%。混頻則是利用兩個高頻信號在非線性結區產生新頻率分量,例如砷化鎵肖特基二極管在 5G 基站的 28GHz 頻段可實現低損耗混頻,幫助處理毫米波信號,變頻損耗低于 8 分貝。寶山區晶振二極管價目表快恢復二極管縮短反向恢復時間,提升高頻電路效率。
瞬態抑制二極管(TVS)和 ESD 保護二極管為電路抵御過壓威脅。TVS 二極管(如 SMBJ6.8A)在 1ns 內響應浪涌,將電壓箝制在 10V 以下,承受 5000W 脈沖功率,保護手機 USB-C 接口免受 20kV 靜電沖擊。汽車電子中,雙向 TVS 陣列(如 SPA05-1UTG)在 CAN 總線中抑制發動機點火產生的瞬態干擾(峰值電壓 ±40V),誤碼率降低至 10??。工業設備的 485 通信接口,串聯磁珠與 TVS 二極管后,可通過 IEC 61000-4-5 浪涌測試(4kV/2Ω),保障生產線數據傳輸穩定。保護二極管如同電路的 “安全氣囊”,在電壓突變瞬間啟動防護,避免元件損壞。
1907 年,英國科學家史密斯發現碳化硅晶體的電致發光現象,雖亮度 0.1mcd(燭光 / 平方米),卻埋下 LED 的種子。1962 年,通用電氣工程師霍洛尼亞克發明首只紅光 LED(GaAsP),光效 1lm/W,主要用于儀器面板指示燈;1972 年,惠普推出綠光 LED(GaP),光效提升至 10lm/W,使七段數碼管顯示成為可能,計算器與電子表從此擁有清晰讀數。1993 年,中村修二突破氮化鎵外延技術,藍光 LED(InGaN)光效達 20lm/W,與紅綠光組合實現全彩顯示 —— 這一突破使 LED 從 “指示燈” 升級為 “光源”,2014 年中村因此獲諾貝爾獎。 21 世紀,LED 進入爆發期:2006 年,白光 LED(熒光粉轉換)光效突破 100lm/W,替代白熾燈成為主流照明;2017 年,Micro-LED 技術將二極管尺寸縮小至 10μm,像素密度達 5000PPI電子秤的電路依靠二極管穩定工作,確保稱重數據準確可靠。
肖特基二極管基于金屬與半導體接觸形成的勢壘效應,而非傳統 PN 結結構。當金屬(如鋁、金)與 N 型半導體(如硅)接觸時,會形成一層極薄的電子阻擋層。正向偏置時,電子通過量子隧道效應穿越勢壘,導通壓降 0.3-0.5V(低于硅 PN 結的 0.7V),例如 MBR20100 肖特基二極管在服務器電源中可提升 3% 效率。反向偏置時,勢壘阻止電子回流,漏電流極小(硅基通常小于 10 微安)。其優勢在于無少子存儲效應,開關速度可達納秒級,適合高頻整流(如 1MHz 開關電源),但耐壓通常低于 200V,需通過邊緣電場優化技術提升反向耐壓能力。穩壓二極管堪稱電壓的忠誠衛士,無論外界電壓如何波動,都能維持輸出電壓的穩定。消費電子二極管材料
電子設備的指示燈用發光二極管,以醒目的光芒指示設備工作狀態。崇明區IC二極管廠家電話
穩壓二極管的工作基礎是齊納擊穿效應,主要用于反向偏置時的電壓穩定。當反向電壓達到特定值(齊納電壓),內建電場強度足以直接拉斷半導體共價鍵,產生大量電子 - 空穴對,形成穩定的擊穿電流。與通過碰撞電離引發的雪崩擊穿不同,齊納擊穿通常發生在較低電壓(小于 5V),且具有負溫度系數(如電壓隨溫度升高而降低)。通過串聯限流電阻控制電流在安全范圍(通常 5-50 毫安),可使輸出電壓穩定在齊納電壓附近。例如 TL431 可調基準源,通過外接電阻分壓,能在 2.5-36V 范圍內提供高精度穩定電壓,溫漂極低,常用于精密電源和電池保護電路。崇明區IC二極管廠家電話