第二階段的仿真是在***次仿真的基礎上，加入了高頻變壓器以及負載部分。第二階段仿真時針對整個電路的仿真，主要目的是對控制方案給以理論研究。閉環反饋控制中采用典型的PID控制模式，仿真過程通過對PID參數的調試加深對控制方案的理解，以便在后續主電路調試過程中能更有目的性的調試參數。主要針對輸出濾波電路的參數、PID閉環參數的設置以及移相控制電路的設計進行研究。仿真電路中輸出電壓設定值為60V，采樣值和設定值作差，偏差量經過PID環節反饋至移相控制電路。移相電路基于DQ觸發器，同一橋臂上PWM驅動脈波設置了死區時間，兩個DQ觸發器輸出四路PWM波分別驅動橋臂上四個開關管。電壓傳感器相對于傳統測量技術的優勢。北京電壓傳感器現貨

基于以上對移相全橋原理上的分析，本章就主電路的前端整流濾波電路、移相全橋逆變環節、輸出端整流電路和濾波電路進行參數設計。在進行所有參數計算前，我們對從電網所取的電以及初步整流后的電能參數進行計算，為后續計算做準備。一般可以采用下述經驗算法：輸入電網交流電時，若采用單相整流，整流濾波后的直流電壓的脈動值VPP是比較低輸入交流電峰值的20%~25%，這里取值VPP=20%Vin。我們提供給后續變換電路的電源是從電網中取電，如此就涉及到輸入整流環節。整流電路是直接購置整流橋，進行兩相整流。參數計算即是前端儲能濾波電容的參數設計。寧波霍爾電壓傳感器廠家直銷并感應出相應電動勢，該電動勢經過電路調整后反饋給補償線圈進行補償。

磁體自身電阻較小，加在磁體兩端的高電壓在磁體中產生大電流，產生強磁場。但由于磁體電阻不可能為零，在通過瞬間的大電流時，磁體本身會瞬間發熱產生高溫，其自身的電阻也會隨著溫度的升高進一步增大，增大的電阻在大電流通過時更進一步發熱。如此，為了真正讓磁體通過脈沖式高穩定度大電流，并不能簡單給磁體配置一個脈沖式高穩定度的電壓源，而是需要一個脈沖式、紋波小、可控、快速反應的電源。強磁場磁體的電源不用于其它裝置的供電電源，在需要產生磁場的時候，電能以很快的速度釋放至磁體產生強磁場。由于瞬時功率很大，若從電網中取電必然會對電網造成沖擊。故而需要電源系統在較長時間內儲存大量的能量，然后以此儲能電源系統作為緩沖來為實驗提供大功率的瞬時電能。

隨著集成化和高頻化的發展，開關器件本身的功耗和發熱問題成為限制集成化和高頻化進一步發展的瓶頸，減小開關器件自身開關損耗促使了軟開關技術的推進。傳統的諧振式、多諧振技術可以實現部分開關器件的ZVC或ZCS，但是這類諧振存在器件應力高、變頻控制等缺點。脈沖寬度調制（PWM）效率高、動態性能好、線性度高，但是為了實現開關管的軟開關，須在電路中引進輔助的器件，這增加了主電路和控制電路的復雜性。在這樣的背景下，移相全橋技術應運而生。相較于其他的全橋電路，移相全橋充分的利用了電路自身的寄生參數，在合理的控制方案下實現開關管的軟開關。相較于傳統諧振軟開關技術，移相全橋變換器又具有頻率恒定、開關管應力小、無需輔助的諧振電路。基于以上對比分析，移相全橋變換器作為我們磁體電源系統中的補償電源。在本文中，我們可以詳細討論一個電壓傳感器。

采用雙電源供電，為M57962芯片搭建比較簡單的外圍電路后，正負驅動電壓為+15V和-9V，可以使IGBT可靠通斷。并且M57962內部集成了短路和過電流保護，內部保護電路監測IGBT的飽和壓降來判斷是否過流，當出現短路或過流時，M57962將***驅動信號實施對IGBT的關斷，同時輸出故障信號。如圖為驅動芯片M57962的驅動效果，將輸入的高電平為5V、低電平為0V的電壓信號放大為高電平為15V，低電平為-9V的驅動信號。-9V的低電平確保了IGBT可靠關斷。該補償線圈產生的磁通與原邊電流產生的磁通大小相等。無錫循環測試電壓傳感器生產廠家

目前的濾波裝置級數低，濾波效果較差，輸出端 可以采用LCCL三階濾波器。北京電壓傳感器現貨

從持續時間的角度上分類，強磁場可以分為脈沖強磁場和穩態強磁場。脈沖強磁場可以產生很高的磁場，能為一些科學實驗提供所需要的磁場環境。但磁場持續的時間短，且磁場的強度在短時刻內是脈沖尖峰狀態。穩態強磁場是持續時間相對較長的磁場，并且磁場的強度時保持相對穩定的狀態，但目前的技術條件場強無法做到很高，穩態磁場強度的建設投資大、需求的電源容量大、冷卻系統大并且維護成本高。為了一些同時對磁場強度和穩定度都有很高要求的科學實驗，我們就需要提供**度、高穩定度的磁場環境，于是結合到上述兩種磁場產生的特點，科學家們提出了脈沖平頂磁場。這種磁場在滿足磁場強度高的條件下兼顧磁場的穩定性。另外，脈沖平頂磁場可以降低測量的干擾，減小樣品產生的渦流。總之，脈沖平頂磁場間距脈沖磁場和穩恒磁場的優點，為一些特殊要求的實驗提供了研究的環境。北京電壓傳感器現貨