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來源: 發布時間:2022-09-04

紫外光(ultravioletlight)定義:波長小于約400nm的不可見光。紫外光是波長小于約400nm(可見光波長的下限)的光。區分不同光譜區域有幾種不同的定義:1.近UV光譜區域從400nm-300nm。中UV光從300nm-200nm,而200nm-10nm則屬于遠UV區域。更短的波長屬于極紫外光(EUV)。2.真空UV(約小于200nm)是指真空裝置通常采用的波長范圍,因為該波長的光能被空氣強烈吸收。真空UV包括遠UV和極紫外光。3.UVA波長范圍為320-400nm,UVB為280-320nm,UVC為200-280nm。UV光具有很多的用途,例如UV消毒水和工具,UV固化膠黏劑,控制許多材料質量和激發熒光。昊躍光學濾光片的良品率。河南O-III濾光片銷售

紫外光的主要性質紫外光在下面兩個方面與可見光不同:1.其短波長可以準確聚焦并且產生非常精細結構(假如采用很高空間相干性的光源)。這可以應用到UV光刻技術中,用來制備微電子裝置,例如,微處理器和芯片。未來微處理器需要更精細的結構,需要EUV區域的光刻技術。目前正在研發EUV光源和其對應的光阻劑。2.其光子能量比很多物體的帶隙能量高。因此,紫外光可以被很多物質吸收,產生的激發過程能引起物質化學結構發生變化(例如,化學鍵斷裂)。這可以用到激光材料加工中(例如,激光刻蝕,脈沖激光沉積,制備光纖布拉格光柵),對水或醫學器件消毒殺菌。UV光會損害人類的皮膚,尤其是UVC光具有殺菌作用。當紫外光與空氣中的微量烴發生相互作用時可以將有機薄層沉積在附近的表面上;這種光污染會降低UV激光光源中非線性晶體的質量。河南O-III濾光片銷售昊躍光學濾光片廠家。

電子gun的結構有許多形式,目前,普遍采用磁偏轉e形gun,它基本上克服了二次電于的影響.所謂"e形",是由于電于軌跡成e字形而得名,又被稱為270度磁偏轉gun.它由陰極燈絲,聚焦扳陽極.偏轉磁鐵和無氧鋼水冷坩堝組成。從燈絲發射的熱電子經陰極與陽極間的高壓電場加速并聚焦,由磁場使之偏轉達到坩堝蒸發材料表面.由于蒸發材料與陽極是分開的,并單獨處于磁場中,故二次電子因受到磁場的作用而再次發生偏轉,減少了向基板發射的幾率,e形gun的聚焦特性主要塊定于燈絲,聚焦極和極的相對位置.電子柬偏轉主要取決于高壓和磁場電流的大小.e形gun有效抑制二次電子,方便的通過改變磁場大小調節束斑位置,而且采用內藏式陰極,即防止了板間的離子放電,又避免了燈絲污染。

除了吸潮引起的中心波長漂移以外,溫度升高引起的膜層折射率的變化,以及膜系熱膨脹引起的厚度變化也會引起膜層光學厚度的變化,從而導致中心波長發生漂移。不僅如此,由于基板的熱膨脹系數與膜系的熱膨脹系數不同,在受熱的情況下,膜系會受到基板應力的作用發生彈性形變,從而聚集密度發生變化,也會導致中心波長發生漂移。理論可以用來定量地分析溫度上升所引起的中心波長漂移。其中主要的因素就是材料的折射率溫度系數、基板的線性熱膨脹系數、材料的泊松比、膜系的線性熱膨脹系數、膜層的聚集密度等。關于各種材料的折射率隨溫度變化的數據非常缺乏,尤其是薄膜形態材料的數據.據文獻報道,不同材料的折射率溫度的變化差異很大,比如碲化物呈現出負的數值,而一般材料折射率都隨溫度的上升而增大。在我們的膜系中,由于是SiO2作為間隔層,因此SiO2的折射率溫度系數起主要的作用。文獻中有晶體石英在可見光范圍內o光和e光的折射率,見表2。昊躍光學濾光片的帶寬。

目前,光學薄膜的淀積中用得較多是熱蒸發.它的基本原理是把被蒸發材料加熱到蒸發溫度,使之揮發淀積到基體形成所需要的膜層.大部分材料,特別是化合物,只能采用間接蒸發,即需要一個盛放并加熱材料的蒸發源.選擇蒸發源的三個基本要求:蒸發源材料的熔點和蒸氣壓;蒸發源材料與薄膜材料的反應以及薄膜材料的濕潤性.簡單和常用的方法是用高熔點的材料作為加熱器,它相當于一個電阻,通電后產生熱量,電阻率隨之增加,當溫度為1000度時蒸發源的電阻率為冷卻時的4~5倍;在2000度時,增加到10倍,加熱器產生的焦耳熱就足以使蒸發材料的分子或原子獲得足夠大的動能而蒸發.可見光濾光片的作用和原理。中國澳門HYO濾光片公司

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