以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮氣氣氛下經500℃退火1002 h，其太陽光譜吸收率穩定在95%左右，400℃紅外發射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。   目前國內外研究人員積極開發基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質的高溫太陽能熱發電系統，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對太陽光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優異熱穩定性的太陽光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，本申請提供了一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材及設置在基材的外表面上膜層構成。河北上打光太陽光譜模擬工廠

推薦的，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。推薦的，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。推薦的，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。推薦的，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。推薦的，步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。甘肅高級太陽光譜模擬銷量如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進行反應，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進行。

該儀器能夠快速顯示實時光譜，因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠鏡位置，同時在這些位置記錄更長的曝光光譜，提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm，因為這些光譜不是在太陽圓盤的末端拍攝的。太陽自轉引起的兩條夫瑯和費鐵線（相對于未移動的氧線）多普勒頻移的測量。在左邊的圖表中，紅色和藍色的線是HF-8989-3光譜儀的實驗數據，當時太陽圓盤的圖像通過輸入光纖移動到光譜儀（從一個邊緣到另一個邊緣）。每個實驗光譜的曝光時間<1秒。

在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉換的效率。

如圖4所示，在本實施例以可行的方式中，***計算模塊320例如可以包括：***計算單元321，用于根據尺寸、地理經度區間、地理緯度區間，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中每個像素對應的地理經度和地理緯度。第二計算單元322，用于根據拍攝日期，計算拍攝日期對應的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度。第三計算單元323，用于根據拍攝時刻和地理經度，計算拍攝時刻的太陽時角。第四計算單元324，用于根據太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角。在平板型太陽能集熱器的生產中，往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜，以提高對太陽熱能的吸。河北上打光太陽光譜模擬工廠

在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻。河北上打光太陽光譜模擬工廠

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結構和熱強化機理示意圖   金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽光譜選擇性吸收涂層的**工作層，其熱穩定性和綜合光學性能直接決定著整個涂層的光熱轉換效率。高溫下，金屬陶瓷膜內金屬納米粒子的團聚、長大、氧化及涂層內層間原子的擴散遷徙，往往會導致成分和微結構的變化，從而誘發涂層光學性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問題，構建熱穩定性優異、熱發射率低且吸收率高的太陽光譜選擇性吸收涂層，是光熱技術應用所面臨的重要材料基礎問題。  河北上打光太陽光譜模擬工廠

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