在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質的強化膜。上打光太陽光譜模擬AM1.5

推薦的，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。推薦的，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。推薦的，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。推薦的，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。推薦的，步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。福建太陽光譜模擬銷售基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例。

根據本發明的實施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實現。根據本發明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實現。根據本發明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實現為硬件電路，例如現場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統、基板上的系統、封裝上的系統、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實現，或以軟件、硬件以及固件三種實現方式中任意一種或以其中任意幾種的適當組合來實現。或者，根據本發明實施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實現為計算機程序模塊，當該計算機程序模塊被運行時，可以執行相應的功能。

可選地，根據尺寸、地理經度區間、地理緯度區間，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中每個像素對應的地理經度和地理緯度，包括：以地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中的一預設點建立直角坐標系，根據遙感圖像尺寸，得到每個像素點在直角坐標系中的坐標(x，y)；獲取每個像素點對應的地理坐標(by-1，lx-1)；根據計算坐標為(x，y)的像素點對應的地理經度l(x)；根據計算坐標為(x，y)的像素點對應的地理緯度b(y)；其中，(b0，l0)為坐標值(0，0)為的像素點對應的地理坐標，x×y為尺寸。可選地，根據拍攝日期，計算拍攝日期對應的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度，包括：根據計算太陽赤緯角；根據計算太陽輻射強度；其中，d表示計算拍攝日期在一年中所處的天數，δ(d)為太陽赤緯角，e(d)為太陽輻射強度。因為不同物質被離子擊出的濺擊產額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性質。

4)反應性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；步驟4)中，靶材為鉻靶，功率為15kw，電壓為510v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為90sccm，氮氣流量為70sccm，氧氣流量為50sccm，制得的過渡膜的厚度為70nm；5)反應性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻。西藏代理太陽光譜模擬

**優于國家標準要求，太陽吸收比α(am1.5)達0.94，半球發射比εh(80℃)*為0.038。上打光太陽光譜模擬AM1.5

表明了所能達到的效率上限。雖然所用的材料花費很大，但用于制造這種電池的技術很有前途。通過降低成本和回收利用這些生長基底，未來類似的產品可能將被推向市場。背景技術：在平板型太陽能集熱器的生產中，往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜，以提高對太陽熱能的吸收，以往使用的化學鍍膜，對環境污染大，而且對太陽熱能的吸收不好。由于在濺鍍化合物薄膜時，若直接以化合物當作靶材，則所濺鍍出來的薄膜會與靶材成份有所差別，且因為不同物質被離子擊出的濺擊產額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性上打光太陽光譜模擬AM1.5

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