晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。二極管應存放在防潮、防塵等環境中，避免影響性能。激光二極管哪家好

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數值時，PN結被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特定反向偏置電壓下經歷雪崩擊穿，從而阻止電流集中到某一點，通常做為安全閥使用，用于控制系統壓力和保護電路系統。雪崩二極管通常在高壓電路中使用，對安裝的空間要求不高，因此多數是插針的封裝形式，原理圖、PCB封裝和普通二極管相同。深圳有機發光二極管定制二極管的快速開關特性可用于電子開關、振蕩電路等。

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發現后，二極管成為了世界上頭一種半導體器件。現如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前較常見的結構是，一個半導體性能的結芯片通過PN結連接到兩個電終端。

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構造、動作原理都與接合型電場效應晶體管相似。變容二極管，施加反向偏置，二極管PN接合的耗盡層厚度會因電壓不同而變化，產生靜電容量（接合容量）的變化，可當作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高，普遍應用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器，也是電視接收器和移動電話不可缺少的零件。二極管的主要作用是將交流信號轉換為直流信號，實現電能的轉換和控制。

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續增加時，還會發生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為 擊穿區 （ 崩潰區 ）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。二極管可用于電源、信號處理等領域，具有普遍的應用。激光二極管哪家好

通過合理配置二極管，可以優化電路的功耗和效率。激光二極管哪家好

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內，二極管相當于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對特性的影響，由于二極管的主要是一個PN結，它的導電性能與溫度有關，溫度升高時二極管正向特性曲線向左移動，正向壓降減小;反向特性曲線向下移動，反向電流增大。3.反向擊穿特性，二極管反向電壓加到一定數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿。此時對應的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示，如圖1.11中CD（C′D′）段。激光二極管哪家好