組成，FET由各種半導體構成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制型半導體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。在使用場效應管時，需要注意正確連接其源極、柵極和漏極，以確保其正常工作。惠州增強型場效應管現貨直發

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS電容的特性能被用來形成MOS管，Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain，假設source 和backgate都接地，drain接正電壓，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。惠州增強型場效應管現貨直發場效應管的電阻特性取決于柵極電壓，可實現精確控制。

本文介紹N溝道增強型MOSFET場效應管；（1）結構，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。場效應管分為MOSFET和JFET兩種類型，應用普遍。

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下。可能我們經常要求器件生產廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數廠家都光給一個EAS.EOS之類的結論，那么到底我們怎么區分是否是雪崩失效呢，下面是一張經過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。JFET常用于低頻放大電路、高輸入阻抗的場合。珠海金屬場效應管供應商

場效應管的功耗較低，可以節省能源。惠州增強型場效應管現貨直發

當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件，PMOS增強型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：UG-US>0，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓；PMOS導通是在G和S之間加G負S正電壓。NMOS相反。MOS管工作狀態，MOSFET 不同于三極管，因為某些型號封裝內有并聯二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D。惠州增強型場效應管現貨直發