1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導體器件。現(xiàn)如今的二極管大多是使用硅來生產(chǎn)，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前較常見的結(jié)構(gòu)是，一個半導體性能的結(jié)芯片通過PN結(jié)連接到兩個電終端。逆向擊穿時應避免超過較大額定反向電壓，以免損壞器件。肇慶晶體二極管尺寸

阻尼二極管，阻尼二極管英文名稱為Damping diode，它具有較高的反向工作電壓和峰值電流，較小的正向壓降，高頻高壓整流二極管，可用作電視線路掃描電路中的阻尼和升壓整流器。阻尼二極管主要用于黑白或彩電線路掃描電路的阻尼、整流電路，可以是硅二極管或鍺二極管。它具有類似于高頻高壓整流二極管的特性。它的反向恢復時間很短，能夠承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。它可以工作在高頻(線路頻率)，并具有較低的正向壓降。肇慶晶體二極管尺寸二極管具有低功耗特性，可節(jié)省能源。

江崎二極管，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode，它是一種可以高速切換的半導體二極管，其切換速度可到達微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制成的半導體二極管，其優(yōu)點是開關(guān)特性好，速度快、工作頻率高；缺點是熱穩(wěn)定性較差。一般應用于某些開關(guān)電路或高頻振蕩等電路中。

在較初被發(fā)明的那個年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發(fā)明后，威廉·亨利·埃克爾斯創(chuàng)造了術(shù)語 Diode ，是從希臘語詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結(jié)合而來的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現(xiàn)在“整流器”一詞通常在特定情況下才會被使用。如電源供應所需要的“半波整流”或“全波整流”設備；或者是陰極射線管所需的高壓電續(xù)流二極管。熱離子二極管，一個熱離子二極管就是一個真空管（也稱“電子管”），由一個包含著兩個電極的密封真空玻璃殼組成：由燈絲加熱的陰極，和一個陽極。早期產(chǎn)品的外觀和現(xiàn)在的白熾燈泡相當類似。二極管可用于電源、信號處理等領(lǐng)域，具有普遍的應用。

接面電壓，當二極管的P-N結(jié)處于正向偏置時，必須有相當?shù)碾妷罕挥脕碡炌ê谋M區(qū)，導致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發(fā)展年代分類：二極真空管；鍺二極管；硒二極管；硅二極管；砷化鎵二極管。依照應用及特性分類：PN結(jié)二極管（PN Diode），施加正向偏置，利用半導體中PN接合的整流性質(zhì)，是較基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯(lián)保護其他元件用。細節(jié)請參照PN結(jié)的條目。. 在電源管理中，穩(wěn)壓二極管可提供穩(wěn)定的電壓輸出。肇慶晶體二極管尺寸

齊納二極管是一種高頻器件，具有低阻抗、低電壓下的快速響應。肇慶晶體二極管尺寸

快恢復二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡稱FRD，是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。快恢復二極管的外形和普通二極管相同，原理圖和PCB庫的參照整流二極管。肇慶晶體二極管尺寸