二極管是電路中經常用的一種電子元器件看，它的英文名稱是Diode,又稱晶體二極管，是用P型和N型半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子元器件。它具有單向導電性能，即給二極管陽極加上正向電壓時，二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。二極管引腳是有正負極性區分的，A（Anode）表示正極，K（Cathode，C的發音為[K])表示負極,在負極的方向會有絲印標記，稱為陰極線。二極管的快速開關特性可用于電子開關、振蕩電路等。中山變容二極管定制

靜電放電（ESD）二極管，靜電放電的英文全稱為Electro-Static Discharge，簡稱ESD，ESD二極管是一種具有兩個電極的半導體器件，當加在兩極間的電壓達到一定值時，在其間產生電場使電子移動而形成電流。當ESD二極管的兩只引腳之間加有交變電壓時，則其集電極和發射結之間的電容量就會發生變化；如果此時給該二極管加上反向偏置電壓或輸入一個低電平的信號脈沖，則它的輸出端將會出現很大的電流。這就是所謂的“漏極開路”現象（簡稱“開路”）。中山變容二極管定制二極管在電子電路中扮演著關鍵角色。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。二極管有正向導通和反向截止的特性，用于整流、限流、保護和變頻等電路中。

在電子工程領域，二極管作為基礎的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩壓二極管和普通二極管因其獨特的特性和應用場景而備受關注。本文將詳細比較穩壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應用這兩種元件。功能區別，穩壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要功能是維持電路中的穩定電壓值。它利用PN結反向擊穿狀態，在電流可在很大范圍內變化時保持電壓基本不變，從而實現穩壓功能。這種特性使得穩壓二極管在電路中起到了關鍵的穩定作用，為電子設備提供了可靠的電壓支撐。相比之下，普通二極管則主要作為一個開關器件或整流器使用。在正向電壓下，普通二極管導通，允許電流通過；而在反向電壓下，則截止，阻止電流通過。這種單向導電性使得普通二極管在開關電路和整流電路中發揮著重要作用。在選擇二極管時，應根據實際需求和工作環境進行綜合考慮。溫州發光二極管

二極管作為電子元器件的重要一員，其發展和應用推動了電子技術的進步。中山變容二極管定制

肖特基二極管，肖特基二極管也被稱為熱載流子二極管，英文名稱為Schottky Barrier Diode，它是一種具有低正向壓降和非常快速的開關動作的半導體二極管。當電流流過肖特基二極管時，肖特基二極管端子上有一個小的電壓降。普通二極管的電壓壓降在0.6V-1.7V之間，而肖特基二極管的電壓降通常在0.15V-0.45V之間，這種較低的電壓降提供了更好的系統效率和更高的開關速度。在肖特基二極管中，半導體和金屬之間形成了一個半導體-金屬結，從而形成了肖特基勢壘。N型半導體作為陰極，金屬側作為二極管的陽極，這種肖特基勢壘導致低正向電壓降和非常快速的開關。肖特基二極管具有正向導通壓降低、恢復時間快、低接電容、低噪音、高電流密度等優點，在高速開關電路中有普遍的應用。肖特基二極管的原理圖和PCB庫如下圖所示。中山變容二極管定制