晶振在線路中的符號是＂X”,＂Y”；晶振的名詞解釋:能產生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.晶振的測量方法:測量電阻方法:用萬用表RX10K檔測量石英晶體振蕩器的正,反向電阻值.正常時應為無窮大.若測得石英晶體振蕩器有一定的阻值或為零,則說明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.動態測量方法:用是波器在電路工作時測量它的實際振蕩頻是否符合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說明該晶振是正常的,如果該晶體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊穿損壞半導體三極管的主要參數有哪些呢？電子元器件封裝圖
線路上通電狀態時檢測,若懷疑電解電容只在通電狀態下才存在擊穿故障，可以給電路通電，然后用萬用表直流擋測量該電容器兩端的直流電壓，如果電壓很低或為０Ｖ，則是該電容器已擊穿。對于電解電容的正、負極標志不清楚的，必須先判別出它的正、負極。對換萬用表筆測兩次，以漏電大（電阻值?。┑囊淮螢闇?，黑表筆所接一腳為負極，另一腳為正極。中文名稱：集成電路英文名稱：integratedcircuit定義：將一個電路的大量元器件集中于一個單晶片上所制成的器件。集成電路（integratedcircuit）是一種微型電子器件或部件。電子元器件m1IC制造商（IDM）自行設計，由自己的生產線加工、封裝，測試后的成品芯片自行銷售。
集成電路的英文縮寫IC；電路中的表示符號:U；集成電路的優點是:集成電路是在一塊單晶硅上,用光刻法制作出很多三極管,二極管,電阻和電容,并按照特定的要求把他們連接起來,構成一個完整的電路.由于集成電路具有體積小,重量輕,可靠性高和性能穩定等優點,所以特別是大規模和超大規模的集成電路的出現,是電子設備在微型化,可靠性和靈活性方面向前推進了一大步.集成電路的腳位判別;1.對于BGA封裝（用坐標表示）：在打點或是有顏色標示處逆時針開始數用英文字母表示－A,B,C,D,E……(其中I,O基本不用)，順時針用數字表示－1，2，3，4，5，6……其中字母位橫坐標，數字為縱坐標如：A1,A22.對于其他的封裝：在打點，有凹槽或是有顏色標示處逆時針開始數為一腳，第二腳，第三腳……
半導體三極管的好壞檢測：a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發射極,所測得阻值為發射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發射極與集電極,所測得阻值分別為發射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d;測量NPN型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導體三極管的方法相反.電容的作用:隔直流,旁路,耦合,濾波,補償,充放電,儲能等。
半導體三極管英文縮寫：Q/T；半導體三極管在電路中常用“Q”加數字表示，如：Q17表示編號為17的三極管。半導體三極管特點：半導體三極管（簡稱晶體管）是內部含有2個PN結，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。按材料來分可分硅和鍺管，我國目前生產的硅管多為NPN型，鍺管多為PNP型。半導體三極管放大的條件:要實現放大作用，必須給三極管加合適的電壓，即管子發射結必須具備正向偏壓，而集電極必須反向偏壓,這也是三極管的放大必須具備的外部條件。電容的分類:根據極性可分為有極性電容和無極性電容.我們常見到的電解電容就是有極性的,是有正負極之分。電子元器件的制造設備
電路板上常見的電子元器件有哪些?電子元器件封裝圖
場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管電子元器件封裝圖
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