世界集成電路產業結構的變化及其發展歷程:自1958年美國德克薩斯儀器公司(TI)發明集成電路(IC)后,隨著硅平面技術的發展,二十世紀六十年代先后發明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路,它標志著由電子管和晶體管制造電子整機的時代發生了量和質的飛躍,創造了一個前所未有的具有極強滲透力和旺盛生命力的新興產業集成電路產業?;仡櫦呻娐返陌l展歷程,我們可以看到,自發明集成電路至今40多年以來,"從電路集成到系統集成"這句話是對IC產品從小規模集成電路(SSI)到現在特大規模集成電路(ULSI)發展過程的比較好總結,即整個集成電路產品的發展經歷了從傳統的板上系統(System-on-board)到片上系統(System-on-a-chip)的過程。在這歷史過程中,世界IC產業為適應技術的發展和市場的需求,其產業結構經歷了三次變革。IC芯片貼片封裝與直插封裝的區分。電子元器件利潤率
IC工藝線寬:線寬:4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等,是指IC生產工藝可達到的比較小導線寬度,是IC工藝先進水平的主要指標。線寬越小,集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。前工序:IC制造工程中,晶圓光刻的工藝(即所謂流片),被稱為前工序,這是IC制造比較要害的技術。后工序晶圓流片后,其切割、封裝等工序被稱為后工序。了解更多相關資訊,歡迎來電咨詢;我們真誠期待您的來電。電子元器件的材料微處理器核,包括MPU、MCU、DSP核。
現在常見的三極管大部分是塑封的,如何準確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e?三極管的b極很容易測出來,但怎么斷定哪個是c哪個是e?a;這里推薦三種方法:第一種方法:對于有測三極管hFE插孔的指針表,先測出b極后,將三極管隨意插到插孔中去(當然b極是可以插準確的),測一下hFE值,b;然后再將管子倒過來再測一遍,測得hFE值比較大的一次,各管腳插入的位置是正確的。第二種方法:對無hFE測量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法:對NPN管,先測出b極(管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出,是吧?),將表置于R×1kΩ檔,將紅表筆接假設的e極(注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳),黑表筆接假設的c極,同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,將管子拿起來,用你的舌尖舔一下b極,看表頭指針應有一定的偏轉,如果你各表筆接得正確,指針偏轉會大些,如果接得不對,指針偏轉會小些,差別是很明顯的,可判定管子的c、e極。
FPGA(FieldProgrammableGateArray)現場可編程門陣列,它是PAL、GAL、EPLD等可編程器件的基礎上進一步發展的產物。它是作為專門的集成電路(ASIC)領域中的一種半定制電路而出現的,既解決了定制電路的不足,又克服了原有可編程器件門電路數有限的缺點。FPGA采用了邏輯單元陣列LCA(LogicCellArray)這樣一個新概念,內部包括可配置邏輯模塊CLB(ConfigurableLogiicBlock)、輸入輸出模塊IOB(InputOutputBlock)和內部連線(Interconnect)三個部分。用指針萬用表判定電阻的好壞,歡迎來電咨詢。
半導體三極管的好壞檢測:a;先選量程:R﹡100或R﹡1K檔位b;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發射極,所測得阻值為發射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發射極與集電極,所測得阻值分別為發射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d;測量NPN型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導體三極管的方法相反.IC芯片庫存全,優勢貨源,歡迎咨詢。電子元器件 網站
半導體三極管按功能分:開關管和放大。電子元器件利潤率
電阻器好壞的檢測:a、用指針萬用表判定電阻的好壞:首先選擇測量檔位,再將倍率檔旋鈕置于適當的檔位,一般100歐姆以下電阻器可選RX1檔,100歐姆-1K歐姆的電阻器可選RX10檔,1K歐姆-10K歐姆電阻器可選RX100檔,10K-100K歐姆的電阻器可選RX1K檔,100K歐姆以上的電阻器可選RX10K檔.b、測量檔位選擇確定后,對萬用表電阻檔為進行校0,校0的方法是:將萬用表兩表筆金屬棒短接,觀察指針有無到0的位置,如果不在0位置,調整調零旋鈕表針指向電阻刻度的0位置.電子元器件利潤率
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