半導體三極管的分類：a;按頻率分：高頻管和低頻管；b;按功率分：小功率管，中間功率管和的功率管；c;按機構分：PNP管和NPN管；d;按材質分：硅管和鍺管；e;按功能分：開關管和放大；半導體三極管特性：三極管具有放大功能（三極管是電流控制型器件－通過基極電流或是發射極電流去控制集電極電流；又由于其多子和少子都可導電稱為雙極型元件）；三極管各區的工作條件：1．放大區：發射結正偏，集電結反偏：2．飽和區：發射結正偏，集電結正偏；截止區：發射結反偏，集電結反偏。半導體三極管的主要參數有哪些呢？深圳元器件電子

有遠見的整機廠商和創業者包括風險投資基金（VC）看到ASIC的市場和發展前景，紛紛開始成立專業設計公司和IC設計部門，一種無生產線的集成電路設計公司（Fabless）或設計部門紛紛建立起來并得到迅速的發展。同時也帶動了標準工藝加工線（Foundry）的崛起。全球較早Foundry工廠是1987年成立的中國臺灣積體電路公司，它的創始人張忠謀也被譽為"晶芯片加工之父"。第三次變革："四業分離"的IC產業90年代，隨著INTERNET的興起，IC產業跨入以競爭為導向的高級階段，國際競爭由原來的資源競爭、價格競爭轉向人才知識競爭、密集資本競爭。電子元件供應商排名TI實力分銷商，歡迎來電咨詢。

半導體三極管的好壞檢測：a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發射極,所測得阻值為發射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發射極與集電極,所測得阻值分別為發射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d;測量NPN型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導體三極管的方法相反.

隨著微處理器和PC機的廣泛應用和普及（特別是在通信、工業控制、消費電子等領域），IC產業已開始進入以客戶為導向的階段。一方面標準化功能的IC已難以滿足整機客戶對系統成本、可靠性等要求，同時整機客戶則要求不斷增加IC的集成度，提高保密性，減小芯片面積使系統的體積縮小，降低成本，提高產品的性能價格比，從而增強產品的競爭力，得到更多的市場份額和更豐厚的利潤；另一方面，由于IC微細加工技術的進步，軟件的硬件化已成為可能，為了改善系統的速度和簡化程序，故各種硬件結構的ASIC如門陣列、可編程邏輯器件（包括FPGA）、標準單元、全定制電路等應運而生，其比例在整個IC銷售額中1982年已占12％；其三是隨著EDA工具（電子設計自動化工具）的發展，PCB設計方法引入IC設計之中，如庫的概念、工藝模擬參數及其仿真概念等，設計開始進入抽象化階段，使設計過程可以單獨于生產工藝而存在。電感的質量檢測包括外觀和阻值測量.

現在常見的三極管大部分是塑封的，如何準確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e？三極管的b極很容易測出來，但怎么斷定哪個是c哪個是e？a;這里推薦三種方法：第一種方法：對于有測三極管hFE插孔的指針表，先測出b極后，將三極管隨意插到插孔中去（當然b極是可以插準確的），測一下hFE值，b;然后再將管子倒過來再測一遍，測得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是正確的。第二種方法：對無hFE測量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法：對NPN管，先測出b極（管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出，是吧？），將表置于R×1kΩ檔，將紅表筆接假設的e極（注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳），黑表筆接假設的c極，同時用手指捏住表筆尖及這個管腳，將管子拿起來，用你的舌尖舔一下b極，看表頭指針應有一定的偏轉，如果你各表筆接得正確，指針偏轉會大些，如果接得不對，指針偏轉會小些，差別是很明顯的，可判定管子的c、e極。買IC芯片找艾維半導體，實力分銷商，歡迎來電咨詢。電子元器件y1

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IC工藝線寬：線寬：4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等，是指IC生產工藝可達到的比較小導線寬度，是IC工藝先進水平的主要指標。線寬越小，集成度就高，在同一面積上就集成更多電路單元。前工序:IC制造工程中，晶圓光刻的工藝（即所謂流片），被稱為前工序，這是IC制造比較要害的技術。后工序晶圓流片后，其切割、封裝等工序被稱為后工序。了解更多相關資訊，歡迎來電咨詢；我們真誠期待您的來電。深圳元器件電子

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