第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述。控制器160與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數目(即，操作的功耗電路130的數目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數目的變化而執行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執行診斷的同時改變數目以增加要操作的功耗電路130的數目。具體地，當診斷部分170執行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。半導體是指一種導電性可控,范圍從絕緣體到導體之間的材料。湖南產品半導體器件設備管理

    以相同的方式，控制器160逐個遞增要操作的功耗電路130的數目。控制器160的數目可以增加n(n是等于或大于2的整數)，而不是逐個增加。此外，在本實施例中，控制器160在診斷部分170診斷的同時逐漸增加要操作的功耗電路130的數目，但不一定需要改變以增加數目。例如，控制器160可以在預定的等待時間改變數目以減少要操作的功耗電路130的數目。然而，推薦地，將要操作的功耗電路130的數目改變為增加的數目。這是因為，取決于環境溫度，如果操作所有功耗電路130，則結溫可能超過保證微控制器200的操作的溫度的上限。因此，如稍后所述，只要結溫不超過操作保證的溫度范圍的上限，要操作的功耗電路130的數目改變為增加，并且當數目超過上限時，溫度傳感器120的診斷操作可以通過中止診斷來在操作保證的溫度范圍內執行。診斷部分170基于溫度傳感器120的輸出來診斷溫度傳感器120是否異常。因此，例如，如果沒有來自溫度傳感器120可用的測量結果，則診斷部分170可以檢測溫度傳感器120中的異常。當從溫度傳感器120獲取測量結果時，診斷部分170如下診斷溫度傳感器120是否存在異常。也就是說。黑龍江工程半導體器件設備品牌排行榜設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。

    圖12是示出根據第四實施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據第三實施例的微控制器300的不同之處在于，增加了電流變化控制電路180。在以下描述中，將描述與第三實施例的不同點，并且將省略對與第三實施例相同的點的描述。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預定功率，同時暫時停止邏輯塊110中包括的電路的操作。由于邏輯塊110中的暫時停止導致的電流的明顯減小可能導致電源電壓的變化。例如，如果由于流水線停頓而暫時停止執行邏輯塊110中的cpu的操作的指令，則在該時間期間電流量急劇減少，結果，電源電壓波動。因此，電流變化控制電路180通過引起負載電流流過功耗電路130來抑制微控制器400中的負載電流的變化，例如，在邏輯塊110的操作停止時。結果，電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化。也就是說，在本實施例中，耗電路130用于強制升高結溫，并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化。在本實施例中，如在第二實施例中，控制器160在微控制器400被開啟時控制功耗電路130。當結溫達到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開始操作時，在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開。在啟動時。

    具體實施方式為了清楚地解釋，適當地省略和簡化以下描述和附圖。在附圖中，相同的元素由相同的附圖標記表示，并且適當地省略其重復描述。率先實施例圖1是示出根據率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中，給出了微控制器作為半導體器件的示例，但是不用說，根據本公開的技術可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里，溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即，當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時，滿足t通常，微控制器100的結溫tj等于或大于微控制器的環境溫度ta。當邏輯塊110不操作時，結溫tj近似等于環境溫度ta，因為沒有從邏輯塊110產生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時，響應于由于邏輯塊110中的熱量產生而產生的熱量，結溫tj變為高于環境溫度ta。因此，當不使用本公開的技術時，保證微控制器100的正常操作的環境溫度ta的下限是tlb。然而，使用所公開的技術。半導體器件通常包括工作結構和對工作結構進行保護的保護結構，如金屬-氧化物-半導體場效應管。

    不需要功耗電路130升高結溫的溫度區域被示出為溫度區域s2。在溫度區域s1中，耗電路130接通，并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果，在溫度區域s1中，結溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區域s2中，由于環境溫度ta足夠高，所以結溫tj變為等于或高于下限溫度tlb，這是由于環境溫度和由于邏輯塊110的自發熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經描述了率先實施例。在微控制器100中，當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產生熱量。因此，結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果，與不提供上述配置時相比。在半導體器件的具體的制備工藝中，通常是在半導體襯底的非原胞區域形成場氧，以場氧為掩膜對半導體。黑龍江工程半導體器件設備品牌排行榜

半導體行業技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。湖南產品半導體器件設備管理

    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據率先實施例的微控制器100的狀態的時間變化的圖。圖8是示出根據第二實施例的微控制器200的狀態的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅動電流之和的轉變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉變的曲線圖。如圖7所示，在根據率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅動電流狀態：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據第二實施例的微控制器200中，驅動電流可以采用更多狀態。因此，在根據第二實施例的微控制器200中，可以實現根據所測量的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅動電流(即，發熱值)。因此，例如，當環境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結溫可以在幾個周期內達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結溫過度升高。提高結溫導致漏電流增加，并且因此結溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結溫。湖南產品半導體器件設備管理

無錫云程文華新能源有限公司是一家有著先進的發展理念，先進的管理經驗，在發展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創新，時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司，在江蘇省等地區的能源中匯聚了大量的人脈以及**，在業界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神，努力把公司發展戰略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫云程文華新能源供應和您一起攜手走向更好的未來，創造更有價值的產品，我們將以更好的狀態，更認真的態度，更飽滿的精力去創造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！