光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:
半導體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
光刻膠新興及擴展應用。天津UV納米光刻膠價格
作為東莞松山湖的企業,吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年,成功研發出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復雜環境下仍保持圖形穩定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產工藝,產品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準,遠銷全球并與跨國企業建立長期合作,加速國產替代進程。常州納米壓印光刻膠國產廠家自研自產的光刻膠廠家。
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全品類覆蓋
吉田半導體產品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領域需求,技術布局全面性于多數國內廠商。
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關鍵技術突破
納米壓印技術:JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,支持納米級精度圖案復制,適用于第三代半導體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領域,技術指標接近國際先進水平。
水性環保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統有機溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標準,環保性能優于同類產品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達數十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
厚板光刻膠
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電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性,比如汽車電子、工業控制等領域的電路板,能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
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功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節,保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。
負性光刻膠
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半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
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平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。
PCB廠商必看!這款G-line光刻膠讓生產成本直降30%。
廣東吉田半導體材料有限公司的產品體系豐富且功能強大。
在光刻膠領域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細光刻環節提供關鍵支持,確保芯片線路的精細刻畫;
納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細的微納結構;
LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產過程中的光刻需求,保障面板成像質量。
在電子焊接方面,半導體錫膏與焊片性能,能實現可靠的電氣連接,廣泛應用于各類電子設備組裝。
靶材產品在材料濺射沉積工藝中發揮關鍵作用,通過精細控制材料沉積,為半導體器件制造提供高質量的薄膜材料。憑借出色品質,遠銷全球,深受眾多世界 500 強企業和電子加工企業青睞 。
吉田半導體:以技術革新驅動光刻膠產業升級。黑龍江水性光刻膠多少錢
吉田半導體實現光刻膠技術突破,為半導體產業鏈自主化提供材料支撐。天津UV納米光刻膠價格
市場拓展
? 短期目標:2025年前實現LCD光刻膠國內市占率10%,半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。
? 長期愿景:成為全球的半導體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導體材料。
. 政策與產業鏈協同
? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導體材料基金,獲設備采購補貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發。
? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯合研發中心,共同攻關光刻膠關鍵技術,縮短客戶驗證周期(目前平均12-18個月)。
. 挑戰與應對
? 技術壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴進口,計劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標曝光劑量<10mJ/cm2)。
? 供應鏈風險:部分原材料(如樹脂)進口占比超60%,正推進“國產替代計劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰略合作為原材料供應。
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