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河南制版光刻膠工廠

來源: 發布時間:2025-04-27

正性光刻膠

  • 半導體分立器件制造:對于二極管、三極管等半導體分立器件,正性光刻膠可實現精細的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時,正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,能精確刻畫器件的結構,提高器件性能。
  • 微機電系統(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度計、陀螺儀等,結構復雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,可在硅片等材料上制作出高精度的微結構,確保 MEMS 器件的功能實現。


發展戰略與行業地位。河南制版光刻膠工廠

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吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈:

  • 芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
  • 顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。
  • 新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統,年供貨量超 500 噸。
  • 研發投入:年研發費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發明二等獎”。
  • 產能規模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
  • 質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執行 8S 管理,批次穩定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續聚焦光刻膠研發,加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態圈,為中國半導體產業自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業邁向更高臺階。
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納米制造與表面工程

? 納米結構模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復制微流控芯片或柔性顯示基板。

? 表面功能化:在基底表面構建納米級粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學圖案(引導細胞定向生長的納米溝槽),用于生物醫學或能源材料(如電池電極的納米陣列結構)。

量子技術與精密測量

? 超導量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過光刻膠定義納米級約瑟夫森結陣列,構建量子電路。

? 納米傳感器:制備納米級懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測單個分子的質量或電荷變化(分辨率達亞納米級)。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
  • 負性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,如半導體器件制造。
  • 耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,如特殊環境下的半導體加工或電路板制造。


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依托自主研發與國產供應鏈,吉田半導體 LCD 光刻膠市占率達 15%,躋身國內前段企業。吉田半導體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產樹脂與單體,實現 100% 國產化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內多家大型企業的深度合作,產品覆蓋智能手機、電視等顯示終端,年供貨量超 200 噸。公司建立國產原材料溯源體系,確保每批次產品穩定性,推動 LCD 面板材料國產化進程。

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技術研發:從配方到工藝的經驗壁壘

 配方設計的“黑箱效應”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合,需通過數萬次實驗優化。例如,ArF光刻膠需在193nm波長下實現0.1μm分辨率,其光酸產率、熱穩定性等參數需精確匹配光刻機性能。日本企業通過數十年積累形成的配方數據庫,國內企業短期內難以突破。

 工藝控制的極限挑戰
光刻膠生產需在百級超凈車間進行,金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內企業在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術短板,導致產品批次一致性差。例如,恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產線驗證,但量產良率較日本同類型產品低約15%。

 EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作,傳統有機光刻膠因吸收效率低、熱穩定性差面臨淘汰。國內企業如久日新材雖開發出EUV光致產酸劑,但金屬氧化物基光刻膠(如氧化鋅)的納米顆粒分散技術尚未突破,導致分辨率達10nm,而國際水平已實現5nm。
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廣東吉田半導體材料有限公司是一家有著先進的發展理念,先進的管理經驗,在發展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創新,時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司,在廣東省等地區的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**,在業界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果,這些評價對我們而言是比較好的前進動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神,努力把公司發展戰略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同吉田半導體供應和您一起攜手走向更好的未來,創造更有價值的產品,我們將以更好的狀態,更認真的態度,更飽滿的精力去創造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!

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