上游原材料:
? 樹脂:彤程新材、鼎龍股份實現KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成,金屬雜質含量<5ppb(國際標準<10ppb)。
? 光引發(fā)劑:久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產酸劑,累計形成噸級訂單;威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產線。
? 溶劑:怡達股份電子級PM溶劑全球市占率超40%,與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,技術指標達SEMI G5標準。
設備與驗證:
? 上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機適配參數,驗證周期較國際廠商縮短6個月;徐州博康實現“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產化,適配ASML Twinscan NXT系列光刻機。
? 國內企業(yè)通過18-24個月的晶圓廠驗證周期(如中芯國際、長江存儲),一旦導入不易被替代。
深圳光刻膠廠家哪家好?蘇州低溫光刻膠生產廠家
吉田半導體獲評 "專精特新" 企業(yè),行業(yè)技術標準,以技術創(chuàng)新與標準化生產為,吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號,樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領域的表現,吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" ",承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術規(guī)范》等行業(yè)標準,推動國產材料標準化進程。未來,吉田半導體將繼續(xù)以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景,深化技術研發(fā)與市場拓展,為全球半導體產業(yè)發(fā)展貢獻" 中國力量 "。陜西3微米光刻膠國產廠商光刻膠技術突破加速,對芯片制造行業(yè)有哪些影響?
厚板光刻膠
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電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩(wěn)定性,比如汽車電子、工業(yè)控制等領域的電路板,能承受復雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。
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功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié),保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。
負性光刻膠
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半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
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平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。
技術挑戰(zhàn):
? 技術壁壘:EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發(fā)階段,光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距(如東京應化ArF膠分辨率達14nm)。
? 供應鏈風險:樹脂、光引發(fā)劑等原材料自給率不足8%,部分依賴進口(如日本信越化學);美國對華技術封鎖可能影響設備采購。
? 客戶驗證:光刻膠需通過晶圓廠全流程測試,驗證周期長(1-2年),國內企業(yè)在頭部客戶滲透率較低。
未來展望:
? 短期(2025-2027年):KrF/ArF光刻膠國產化率預計提升至10%-15%,南大光電、上海新陽等企業(yè)實現28nm-7nm制程產品量產,部分替代日本進口。
? 中期(2028-2030年):EUV光刻膠進入中試驗證階段,原材料自給率提升至30%,國內企業(yè)在全球市場份額突破15%。
? 長期(2030年后):實現光刻膠全產業(yè)鏈自主可控,技術指標對標國際前列,成為全球半導體材料重要供應商。
吉田半導體實現光刻膠技術突破,為半導體產業(yè)鏈自主化提供材料支撐。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
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負性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,如半導體器件制造。
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耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,如特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。
半導體芯片制造,用于精細電路圖案光刻,決定芯片性能與集成度。蘇州低溫光刻膠生產廠家
光刻膠是有什么東西?蘇州低溫光刻膠生產廠家
技術挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求:
? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標<5nm),通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。
缺陷控制:
? 半導體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個/mL,需優(yōu)化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。
國產化突破:
? 國內企業(yè)(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實現批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能:
? 開發(fā)水基顯影正性膠(減少有機溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導體制造能耗)。
典型產品示例
? 傳統(tǒng)正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。
? DUV正性膠:信越化學的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認證的國產KrF膠(28nm節(jié)點)。
? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料,其技術進步直接關聯(lián)芯片制程的突破,未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
蘇州低溫光刻膠生產廠家