吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領域,通過差異化技術(如納米壓印、厚膜工藝)和環(huán)保特性(水性配方),滿足從傳統(tǒng)電子到新興領域(如第三代半導體、Mini LED)的多樣化需求。其產品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,還通過材料創(chuàng)新推動行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導體光刻膠的優(yōu)勢在于技術全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質量穩(wěn)定性及本土化服務,尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力。
吉田半導體:以技術革新驅動光刻膠產業(yè)升級。黑龍江網(wǎng)版光刻膠工廠
吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠:歐盟 RoHS 認證,PCB 電路板制造
憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料。
吉田半導體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度電路板制造。產品通過歐盟 RoHS 認證,采用無鹵無鉛配方,符合環(huán)保要求。其優(yōu)異的感光度與留膜率,確保復雜線路圖形的成型,已應用于華為 5G 基站主板量產。公司提供從材料選型到工藝優(yōu)化的全流程支持,助力客戶提升生產效率與良率。
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不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應用產品
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導體JT-100系列
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導體YK-300系列
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流:JSR ARF系列
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊 研發(fā)中(吉田半導體合作攻關)
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環(huán)保PCB阻焊層 吉田半導體WT-200系列
總結:多領域滲透的“工業(yè)維生素”
光刻膠的應用深度綁定電子信息產業(yè),從半導體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”,再到顯示面板的“色彩精細控制”,其技術參數(shù)(分辨率、耐蝕刻性、靈敏度)需根據(jù)場景設計。隨著**新能源(車規(guī)芯片、光伏)、新型顯示(Micro LED)、先進制造(納米壓印)**等領域的發(fā)展,光刻膠的應用邊界將持續(xù)擴展,成為支撐制造的關鍵材料。
廣東吉田半導體材料有限公司,坐落于松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū),是半導體材料領域的一顆璀璨明珠。公司注冊資本 2000 萬元,專注于半導體材料的研發(fā)、生產與銷售,是國家高新技術企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)以及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
強大的產品陣容:吉田半導體產品豐富且實力強勁。芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠精細滿足芯片制造、微納加工等關鍵環(huán)節(jié)需求;半導體錫膏、焊片在電子焊接領域性能;靶材更是在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關鍵作用。這些產品遠銷全球,與眾多世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立了長期穩(wěn)固的合作關系。
雄厚的研發(fā)生產實力:作為一家擁有 23 年研發(fā)與生產經(jīng)驗的綜合性企業(yè),吉田半導體具備行業(yè)前列規(guī)模與先進的全自動化生產設備。23 年的深耕細作,使其在技術研發(fā)、工藝優(yōu)化等方面積累了深厚底蘊,能夠快速響應市場需求,不斷推出創(chuàng)新性產品。
嚴格的質量管控:公司始終將品質視為生命線,嚴格按照 ISO9001:2008 質量體系標準監(jiān)控生產制程。生產環(huán)境執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理,從源頭抓起,所有生產材料均選用美國、德國、日本等國家進口的高質量原料,確保客戶使用到超高質量且穩(wěn)定的產品。
自研自產的光刻膠廠家。
光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:
半導體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區(qū)域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區(qū)域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區(qū)域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
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吉田半導體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。黑龍江網(wǎng)版光刻膠工廠
定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
? 樹脂(成膜劑):
? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。
? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應提高感光度和分辨率。
? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應)、堿溶解度調節(jié)劑等。
工作原理
? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。
? 曝光時:
? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應,大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。
? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
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