常州負性光刻膠感光膠
來源：
發布時間：2025-06-18
光刻膠的工作原理：
1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區域曝光。
2. 化學變化：曝光區域的光刻膠發生光化學反應（正性膠曝光后溶解，負性膠曝光后交聯不溶）。
3. 顯影與刻蝕：溶解未反應的部分，留下圖案化的膠層，作為后續刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉移到基底上。
在納米技術中，關鍵挑戰是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。
以 15% 年研發投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發，搶占行業制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰，吉田半導體與中科院合作開發化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性進展。同時，公司前瞻性布局木基光刻膠研發，對標日本王子控股技術，探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐，助力中國在下一代光刻技術中占據重要地位。惠州光刻膠價格光刻膠廠家推薦吉田半導體，23 年專注研發，全系列產品覆蓋芯片制造與 LCD 面板！
市場與客戶優勢：全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網絡
產品遠銷全球，與三星、LG、京東方等世界500強企業建立長期合作，在東南亞、北美市場市占率超15%。
區域市場深耕
依托東莞松山湖產業集群，與華為、OPPO等本土企業合作，在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求。
產業鏈配套優勢：原材料與設備協同
主要原材料自主化
公司自主生產光刻膠樹脂、光引發劑，降低對進口依賴，成本較國際競品低20%。
設備與工藝協同
與國內涂膠顯影設備廠商合作，開發適配國產設備的光刻膠配方，提升工藝兼容性。
上游原材料：
? 樹脂：彤程新材、鼎龍股份實現KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成，金屬雜質含量<5ppb（國際標準<10ppb）。
? 光引發劑：久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產酸劑，累計形成噸級訂單；威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產線。
? 溶劑：怡達股份電子級PM溶劑全球市占率超40%，與南大光電合作開發配套溶劑，技術指標達SEMI G5標準。
設備與驗證：
? 上海新陽與上海微電子聯合開發光刻機適配參數，驗證周期較國際廠商縮短6個月；徐州博康實現“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產化，適配ASML Twinscan NXT系列光刻機。
? 國內企業通過18-24個月的晶圓廠驗證周期（如中芯國際、長江存儲），一旦導入不易被替代。
吉田半導體全流程解決方案，賦能客戶提升生產效率。
? 正性光刻膠
? YK-300：適用于半導體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。
? 技術優勢：采用進口樹脂及光引發劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。
? 負性光刻膠
? JT-1000：負性膠，主打優異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm，適用于功率半導體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。
? SU-3：經濟型負性膠，性價比高，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm2。
2. 顯示面板光刻膠
? LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設計，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規模生產。
? 水性感光膠JT-1200：環保型產品，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標準，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細網點，主要供應京東方、TCL等面板廠商。
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技術挑戰：
? 技術壁壘：EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發階段，光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距（如東京應化ArF膠分辨率達14nm）。
? 供應鏈風險：樹脂、光引發劑等原材料自給率不足8%，部分依賴進口（如日本信越化學）；美國對華技術封鎖可能影響設備采購。
? 客戶驗證：光刻膠需通過晶圓廠全流程測試，驗證周期長（1-2年），國內企業在頭部客戶滲透率較低。
未來展望：
? 短期（2025-2027年）：KrF/ArF光刻膠國產化率預計提升至10%-15%，南大光電、上海新陽等企業實現28nm-7nm制程產品量產，部分替代日本進口。
? 中期（2028-2030年）：EUV光刻膠進入中試驗證階段，原材料自給率提升至30%，國內企業在全球市場份額突破15%。
? 長期（2030年后）：實現光刻膠全產業鏈自主可控，技術指標對標國際前列，成為全球半導體材料重要供應商。
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