依托自主研發與國產供應鏈,吉田半導體 LCD 光刻膠市占率達 15%,躋身國內前段企業。吉田半導體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產樹脂與單體,實現 100% 國產化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內多家大型企業的深度合作,產品覆蓋智能手機、電視等顯示終端,年供貨量超 200 噸。公司建立國產原材料溯源體系,確保每批次產品穩定性,推動 LCD 面板材料國產化進程。
光刻膠的線邊緣粗糙度(LER)是影響芯片性能的關鍵因素之一。煙臺UV納米光刻膠國產廠商
產品優勢:多元化布局與專業化延伸
全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如:
? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學器件等領域,替代傳統光刻工藝。
專業化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠,計劃2025年啟動研發,目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質量與生產優勢:嚴格品控與自動化生產
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環境執行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料,確保產品批次穩定性。
質量指標:光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自動化生產能力
擁有行業前列的全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規模訂單交付。
無錫阻焊光刻膠顯影環節使用堿性溶液(如TMAH)溶解曝光后的光刻膠,形成目標圖形。
吉田半導體助力區域經濟,構建半導體材料生態圈,發揮企業作用,吉田半導體聯合上下游資源,推動東莞松山湖半導體產業協同創新。
作為松山湖產業集群重要成員,吉田半導體聯合光刻機制造商、光電子企業共建材料生態圈。公司通過技術輸出與資源共享,幫助本地企業提升工藝水平,促進產業鏈協同創新。例如,與華中科技大學合作研發的 T150A KrF 光刻膠,極限分辨率 120nm,工藝寬容度優于日本信越同類產品,已實現量產并出口東南亞,為區域經濟發展注入新動能。
技術驗證周期長
半導體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年,需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(批量驗證)等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,預計2025年才能進入穩定供貨階段。
原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進口,如KrF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。國內企業需在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝等關鍵技術上持續突破。
未來技術路線
? 金屬氧化物基光刻膠:氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現出更高分辨率和穩定性,清華大學團隊已實現5nm線寬的原型驗證。
? 電子束光刻膠:中科院微電子所開發的聚酰亞胺基電子束光刻膠,分辨率達1nm,適用于量子芯片制造。
? AI驅動材料設計:華為與中科院合作,利用機器學習優化光刻膠配方,研發周期縮短50%。
負性光刻膠生產原料。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
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負性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,如半導體器件制造。
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耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,如特殊環境下的半導體加工或電路板制造。
光刻膠是有什么東西?浙江紫外光刻膠報價
根據反應類型,光刻膠分為正膠(曝光部分溶解)和負膠(曝光部分固化)。煙臺UV納米光刻膠國產廠商
光伏電池(半導體級延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機溶劑(適應溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實現10nm級分辨率,用于3D NAND存儲孔陣列(直徑≤20nm)、量子點顯示陣列等。
微流控與生物醫療
? 微流控芯片:制造微米級流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。
? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點,精度≤5μm。
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