高鐵牽引變壓器用絕緣加工件，需在高頻交變磁場中保持低損耗，采用納米晶合金與絕緣薄膜復合結構。通過真空蒸鍍工藝在 0.02mm 厚納米晶帶材表面沉積 1μm 厚聚酰亞胺薄膜，層間粘結強度≥15N/cm，磁導率波動≤3%。加工時運用精密沖裁技術制作階梯式疊片結構，疊片間隙控制在 5μm 以內，配合真空浸漆工藝（粘度 20s/25℃）填充氣隙，使整體損耗在 10kHz、1.5T 工況下≤0.5W/kg。成品在 - 40℃~125℃溫度范圍內，磁致伸縮系數≤10×10??，且局部放電量≤0.5pC，滿足高鐵牽引系統高可靠性、低噪音的運行要求。該注塑件的流道系統采用熱流道設計，減少材料浪費，提高生產效率。杭州RoHS環保加工件定做

半導體封裝用注塑加工件，需達到 Class 10 級潔凈標準，選用環烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時間 24h）去除水分，再經熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個 /ft2 的封裝載體。加工時采用激光微雕技術，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產生毛刺。成品在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環（-40℃~125℃）測試，翹曲量≤50μm，滿足高級芯片封裝的高精度與低污染要求。低成本注塑加工件生產注塑加工件的定位柱高度公差 ±0.1mm，確保多部件裝配同軸度。

半導體刻蝕腔體注塑加工件采用全氟烷氧基樹脂（PFA）與二硫化鉬納米管復合注塑，添加 3% 二硫化鉬納米管（直徑 20nm，長度 1μm）通過超臨界流體混合（CO?壓力 10MPa，溫度 80℃）均勻分散，使材料表面摩擦系數降至 0.08，抗等離子體刻蝕速率≤0.05μm/h。加工時運用精密擠出成型（溫度 380℃，口模溫度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的氣流槽，槽面經電子束拋光后粗糙度 Ra≤0.02μm，減少刻蝕產物沉積。成品在 CF?/O?等離子體環境（功率 1000W，氣壓 10Pa）中使用 1000 小時后，表面腐蝕量≤0.1μm，且顆粒脫落量≤0.01 個 / 片，滿足高級半導體刻蝕設備的高純度與長壽命需求。

半導體制造設備中的絕緣加工件，需達到 Class 100 級潔凈標準，通常選用聚醚醚酮（PEEK）材料。采用激光切割工藝進行加工，切口熱影響區≤50μm，避免傳統機械加工產生的微塵污染，切割后表面經超純水超聲清洗（電阻率≥18MΩ?cm），粒子殘留量≤0.1 個 /ft2。制成的晶圓載具絕緣件，在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且摩擦系數≤0.15，防止晶圓傳輸過程中產生靜電吸附，同時通過 1000 次插拔循環測試，接觸電阻波動≤5mΩ，確保半導體生產的高可靠性。?注塑加工件的筋位設計增強結構強度，可承受 20kg 以上的垂直壓力。

5G 基站天線的注塑加工件，需實現低介電損耗與高精度成型，采用液態硅膠（LSR）與玻璃纖維微珠復合注塑。在 LSR 原料中添加 20% 空心玻璃微珠（粒徑 10μm），通過精密計量泵（計量精度 ±0.1g）注入熱流道模具（溫度 120℃），成型后介電常數穩定在 2.8±0.1，介質損耗 tanδ≤0.002（10GHz）。加工時運用多組分注塑技術，同步成型天線罩與金屬嵌件，嵌件定位公差≤0.03mm，配合后電磁波透過率≥95%。成品在 - 40℃~85℃環境中經 1000 次熱循環測試，尺寸變化率≤0.1%，且耐鹽霧腐蝕（5% NaCl 溶液，1000h）后表面無粉化，滿足戶外基站的長期穩定運行需求。這款注塑件通過模溫控制技術，內部應力分布均勻，減少開裂風險。絕緣加工件定制加工

這款注塑件的螺紋嵌件采用模內注塑工藝，結合強度高于后裝配方式。杭州RoHS環保加工件定做

航空航天輕量化注塑加工件，采用碳纖維增強聚酰亞胺（CFRPI）經高壓 RTM 工藝成型。將 T700 碳纖維（體積分數 55%）預成型體放入模具，注入熱固性聚酰亞胺樹脂（粘度 500cP），在 200℃、10MPa 壓力下固化 4 小時，制得密度 1.6g/cm3、彎曲強度 1200MPa 的結構件。加工時運用五軸數控銑削（轉速 40000rpm，進給量 500mm/min），在 0.5mm 薄壁上加工出精度 ±0.01mm 的定位孔，邊緣經等離子體去毛刺處理。成品在 - 196℃~260℃溫度范圍內，熱膨脹系數≤1×10??/℃，且通過 1000 次高低溫循環后，層間剪切強度保留率≥90%，滿足航天器結構部件的輕量化與耐極端環境需求。杭州RoHS環保加工件定做