二氧化硅的干法刻蝕方法是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產速率較高，非等離子體狀態下的氟碳化合物化學穩定性較高，且其化學鍵比SiF的化學鍵強，不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。干法刻蝕優點：細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。深圳鹽田干法刻蝕

介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，例如二氧化硅。干法刻蝕優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。刻蝕基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。湖州ICP刻蝕按材料來分，刻蝕主要分成3種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。

    刻蝕原理介紹主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產生原因單擊此處編輯母版標題樣式單擊此處編輯母版標題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學反應去除掉，較終形成制程所需要的圖形?？涛g種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種：1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分：鹽酸、硝酸、水。ITO：氧化銦錫（混合物）Metal刻蝕前后：ITO刻蝕前后：刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大，所以我們主要通過：來料檢驗、首片確認、定期更換的方法來保證。

干法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結構的制作需要刻蝕介質，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰性。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。廣東省科學院半導體研究所。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。

刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法?？涛g可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。開封濕法刻蝕

光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。深圳鹽田干法刻蝕

工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩?；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ懈叩倪x擇比。深圳鹽田干法刻蝕