涂敷在透明光學元件表面、用來消除或減弱反射光以達增透目的的光學薄膜。又稱增透膜。簡單的減反射膜是單層介質膜，其折射率一般介于空氣折射率和光學元件折射率之間，使用普遍的介質膜材料為氟化鎂。減反射膜的工作原理是基于薄膜干涉原理。入射光在介質膜兩表面反射后得兩束相干光，選擇折射率適當的介質膜材料，可使兩束相干光的振幅接近相等，再控制薄膜厚度，使兩相干光的光程差滿足干涉極小條件，此時反射光能量將完全消除或減弱。反射能量的大小是由光波在介質膜表面的邊界條件確定，適當條件下可完全沒有反射光或只有很弱的反射光。
鍍膜層能有效隔絕空氣中的氧氣和水分。東莞真空鍍膜儀

微電子行業是真空鍍膜技術應用很普遍的領域之一。在集成電路制造中，真空鍍膜技術被用于制造薄膜電阻器、薄膜電容器、薄膜溫度傳感器等關鍵元件。這些元件的性能直接影響到集成電路的穩定性和可靠性。通過真空鍍膜技術，可以精確控制薄膜的厚度和組成，從而滿足集成電路對材料性能和工藝精度的嚴格要求。此外，真空鍍膜技術還普遍應用于半導體器件的制造中。通過沉積金屬、電介質和半導體等材料的薄膜，可以形成具有特定功能的電子元件，如二極管、晶體管等。這些元件在電子設備中發揮著至關重要的作用，為現代電子工業的發展提供了堅實的基礎。淮南PVD真空鍍膜反應氣體過量就會導致靶中毒。

LPCVD設備的基本原理是利用化學氣相沉積（CVD）的方法，在低壓（通常為0.1-10Torr）和高溫（通常為500-1200℃）的條件下，將含有所需元素的氣體前驅體引入反應室，在襯底表面發生化學反應，形成所需的薄膜材料。LPCVD設備的優點主要有以下幾點：（1）由于低壓條件下氣體分子的平均自由程較長，使得氣體在反應室內的分布更加均勻，從而提高了薄膜的均勻性和重復性；（2）低壓條件下氣體分子與襯底表面的碰撞頻率較低，使得反應速率主要受表面反應速率控制，從而提高了薄膜的純度和結晶性；（3）低壓條件下氣體分子與反應室壁面的碰撞頻率較低，使得反應室壁面上沉積的材料較少，從而降低了顆粒污染和清洗頻率；

器件尺寸按摩爾定律的要求不斷縮小，柵極介質的厚度不斷減薄，但柵極的漏電流也隨之增大。在5.0nm以下，SiO2作為柵極介質所產生的漏電流已無法接受，這是由電子的直接隧穿效應造成的。HfO2族的高k介質是目前比較好的替代SiO2/SiON的選擇。HfO2族的高k介質主要通過原子層沉積（ALD）或金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）等方法沉積。介質膜的主要作用有：1.改善半導體器件和集成電路參數；2.增強器件的穩定性和可靠性，二次鈍化可強化器件的密封性，屏蔽外界雜質、離子電荷、水汽等對器件的有害影響；3.提高器件的封裝成品率，鈍化層為劃片、裝架、鍵合等后道工藝處理提供表面的機械保護；4.其它作用，鈍化膜及介質膜還可兼作表面及多層布線的絕緣層；真空鍍膜技術能提升產品的市場競爭力。

LPCVD的優點主要有以下幾個方面：一是具有較佳的階梯覆蓋能力，可以在復雜的表面形貌上形成均勻且連續的薄膜；二是具有很好的組成成分和結構控制，可以通過調節反應溫度、壓力和氣體流量等參數來改變薄膜的物理和化學性質；三是具有很高的沉積速率和輸出量，可以實現大面積和批量生產；四是降低了顆粒污染源，提高了薄膜的質量和可靠性LPCVD的缺點主要有以下幾個方面：一是需要較高的反應溫度（通常在500-1000℃之間），這會增加能耗和設備成本，同時也會對基片造成熱損傷或熱應力；二是需要較長的反應時間（通常在幾十分鐘到幾小時之間），這會降低生產效率和靈活性；三是需要較復雜的設備和工藝控制，以保證反應室內的溫度、壓力和氣體流量等參數的均勻性和穩定性。真空鍍膜能賦予材料特殊的光學性能。LPCVD真空鍍膜實驗室

鍍膜層厚度可通過調整參數精確控制。東莞真空鍍膜儀

LPCVD設備中還有一個重要的工藝參數是氣體前驅體的流量，因為它也影響了反應速率、反應機理、反應產物、反應選擇性等方面。一般來說，流量越大，氣體在反應室內的濃度越高，反應速率越快，沉積速率越高；流量越小，氣體在反應室內的濃度越低，反應速率越慢，沉積速率越低。但是，并不是流量越大越好，因為過大的流量也會帶來一些不利的影響。例如，過大的流量會導致氣體在反應室內的停留時間縮短，從而降低沉積效率或增加副產物；過大的流量會導致氣體在反應室內的流動紊亂，從而降低薄膜的均勻性或質量；過大的流量會導致氣體前驅體之間或與襯底材料之間的競爭反應增加，從而改變反應機理或反應選擇性。東莞真空鍍膜儀