圖1（a）所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。太倉應用IGBT模塊聯(lián)系方式

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。太倉應用IGBT模塊聯(lián)系方式任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、**率應用中占據(jù)了主導地位。

有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT，選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達林頓管等如今功率可高達1MW的低頻應用中，單個元件電壓可達4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。 [1]a,柵極與任何導電區(qū)要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行長久性連接。  在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。太倉加工IGBT模塊報價

在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;太倉應用IGBT模塊聯(lián)系方式

不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅(qū)動功率的2倍。IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如，常見IGBT驅(qū)動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V，則U=24V，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ，柵極電阻應選取2W電阻，或2個1W電阻并聯(lián)。三、設置柵極電阻的其他注意事項太倉應用IGBT模塊聯(lián)系方式

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