從光刻設備角度來看，EUV光刻與其他波長光刻關鍵的兩點差異是光源強度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光，商用EUV光刻機使用的是激光激發的等離子體（LPP）發光，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術商用的瓶頸問題；另外，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統，而非傳統的透過折射鏡片組，且效率不高。因此在EUV光刻發展的早期，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時，EUV光子能量（約為92eV）遠高于以前幾代光刻技術光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍），也就是說，對于同樣的曝光能量，光子數目遠少于前幾代的光刻技術，這就導致散粒噪聲增加，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高。而靈敏度過高并不利于克服散粒噪聲的影響，所以隨著EUV光源功率不斷提升，業界對EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變為“利用一定程度的靈敏度來降低粗糙度”。光刻膠是一大類具有光敏化學作用的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。江浙滬彩色光刻膠顯示面板材料

2010年，美國英特爾公司的Masson報道了一種含有Co的聚合物光刻膠，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡合反應生成。EUV曝光后，在光酸的作用下發生高分子斷鏈反應，溶解度發生變化，可形成30nm的光刻線條，具有較高的靈敏度，但LER較差。2014年，課題組報道了一種鉍化合物，并將其用于極紫外光刻。這種由氯原子或酯鍵配合的鉍寡聚物可在EUV光照后發生分子間交聯反應。不過盡管鉍的EUV吸收能力很強，但此類配合物的靈敏度并不高，氯配合鉍寡聚物能實現分辨率21nm，所需劑量高達120mJ·cm?2。江浙滬i線光刻膠其他助劑光刻膠發展至今已有百年歷史，現已用于集成電路、顯示、PCB 等領域，是光刻工藝的重要材料。

與金屬納米顆粒和納米簇不同，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低，通常情況下每個光刻膠分子內只有一個或幾個金屬原子。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少，可修飾位點較少；而金屬原子的配體種類較多，且容易連接活性基團，因此金屬配合物光刻膠的設計更為靈活。但是，由于金屬原子含量低，所以金屬配合物對EUV光的吸收能力、抗刻蝕能力有可能弱于金屬納米顆粒和納米簇光刻膠。目前已有多種金屬元素的配合物被用于光刻膠，如鉍、銻、鋅、碲、鉑、鈀、鈷、鐵和鉻等。

2011年，Whittaker課題組又使用聚砜高分子作為主體材料，制備了鏈斷裂型非化學放大光刻膠。聚砜與聚碳酸酯類似，主鏈比PMMA更容易斷裂，因此該光刻膠的靈敏度更高。但較高的反應活性也降低了其穩定性，因此Whittaker課題組又利用原子轉移自由基聚合法（ARTP）制備了一種PMMA-聚砜復合高分子，主鏈為聚砜，支鏈為PMMA，呈梳形結構。PMMA的加入增強了光刻圖形的完整性，可獲得30nm線寬、占空比為1∶1的線條，最高分辨率可達22.5nm，靈敏度可達4~6mJ·cm?2。不過聚砜在曝光時會分解出二氧化硫和烯烴碎片，產氣量較大。在平板顯示行業；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。

盡管HSQ可以實現較好的EUV光刻圖案，且具有較高的抗刻蝕性能，但HSQ較低的靈敏度無法滿足EUV光刻的需求，且價格非常昂貴，難以用于商用的EUV光刻工藝中。另外，盡管HSQ中Si含量很高，但由于O含量也很高，所以HSQ并未展現含Si光刻膠對EUV光透光性的優勢，未能呈現較高的對比度。因此，研發人員將目光轉向側基修飾的高分子光刻膠。使用含硅、含硼單元代替高分子光刻膠原本的功能性含氧側基，既可有效降低光刻膠對EUV光的吸收，又有助于提高對比度，也可提高抗刻蝕性。目前，我國光刻膠自給率較低，生產也主要集中在中低端產品，國產替代的空間廣闊。普陀光刻膠光引發劑

光刻膠的國產化公關正在展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。江浙滬彩色光刻膠顯示面板材料

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅，也可以為化合物半導體）。2）前烘。旋涂后烘烤光刻膠膜，確保光刻膠溶劑全部揮發。3）曝光。經過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上，膠膜內發生光化學反應。4）后烘。某些光刻膠除了需要發生光反應，還需要進行熱反應，因此需要在曝光后對光刻膠膜再次烘烤。5）顯影。曝光（及后烘）后，光刻膠的溶解性能發生改變，利用適當的顯影液將可溶解區域去除。經過這些過程，就完成了一次光刻工藝，后續將視器件制造的需要進行刻蝕、離子注入等其他工序。一枚芯片的制造，往往需要幾次甚至幾十次的光刻工藝才能完成。江浙滬彩色光刻膠顯示面板材料