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MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-31

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無(wú)接觸的。非機(jī)械式的,這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以,在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說(shuō)磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止,能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能,其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓(380V)磁飽和電抗器沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別,只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有,這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來(lái)說(shuō),磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說(shuō)磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波,這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性,就一定會(huì)引起高次諧波,只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源,噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問(wèn)世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出,晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)革命。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比,它體積小,結(jié)構(gòu)緊湊,維護(hù)量小,功能齊全,菜單豐富,起動(dòng)重復(fù)性好,保護(hù)周全,這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系,使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

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 某加熱爐控制柜,需要控制額定電壓為380V,比較大工作電流為150A的加熱爐,應(yīng)使用什么規(guī)格型號(hào)的模塊?

《使用說(shuō)明書》中的選型計(jì)算公式:I>K×I負(fù)載×U比較大/U實(shí)際

K:安全系數(shù),阻性負(fù)載K=1點(diǎn)5,感性負(fù)載K=2

I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的比較大電流

U比較大:負(fù)載上的最小電壓

U實(shí)際:模塊能輸出的比較大電壓(三相整流模塊為輸入電壓的1點(diǎn)35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0點(diǎn)9倍,其余規(guī)格均為1點(diǎn)0倍)

I:需要選擇模塊的最小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 聊城MTAC150晶閘管智能模塊配件正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。

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晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過(guò)電流保護(hù)

過(guò)流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法,可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可,三相模塊三只,單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓,額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對(duì)于短路引起的過(guò)流保護(hù)效果很好,對(duì)于一般性的過(guò)流并不能起到很好的保護(hù)效果,因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果,除采用快速熔斷器外可采用帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊或具有過(guò)流保護(hù)功能的控制板。

②過(guò)電壓保護(hù)

模塊的過(guò)壓保護(hù),推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可,反并聯(lián)芯片可共用一組。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系,模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。 正高電氣產(chǎn)品暢銷國(guó)內(nèi)。

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晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

晶閘管智能模塊普遍應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、焊機(jī)、等離子弧焊、逆變電源等領(lǐng)域,如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口,可以與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,可實(shí)現(xiàn)過(guò)熱、缺乏等保護(hù)功能。


晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號(hào),該模塊的輸出電壓可通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小來(lái)平穩(wěn)地調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個(gè)或全部的過(guò)程。

電壓或電流信號(hào)可從各種控制儀表和計(jì)算機(jī)D/A輸出中獲取,電位器可直接與直流電源分開,控制信號(hào)采用3種常用的控制形式:0-5V、0-10V、4-20mA。


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    構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)銅,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)。MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

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