氮化鋁陶瓷是一種高技術新型陶瓷。氮化鋁陶瓷基片具有極高的熱導率，無毒、耐腐蝕、耐高溫，熱化學穩定性好等特點,是大規模集成電路，半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導率和力學性能的比較好添加料，氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品，用作高導熱陶瓷生產原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體，介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。可定制加工氮化鋁電子絕緣高溫工業配件。無錫高韌氮化鋁陶瓷管

       用氮化鋁陶瓷做成的陶瓷基板有以下應用價值：一，是高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。二，因其熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小是大規模集成電路散熱和封裝的主要材料。三，高頻陶瓷pcb電壓件，大規模超大集成電路基片四，高頻通訊行業高電壓，低熱膨脹系數、低介電損耗的可靠材料。以上就是氮化鋁陶瓷基板材料的介紹以及氮化鋁陶瓷基板的應用價值，氮化鋁陶瓷基板在很多領域散熱的作用是其他基材所不能替代的。常州硬度高隔熱氮化鋁陶瓷源頭生產廠家可供打樣氮化鋁陶瓷部件加工廠--鑫鼎精密陶瓷。

     氮化鋁陶瓷多零件可以用作微波管的集電極、夾極和能量傳輸窗口，氮化鋁的介電損耗可低至10^(–4)，當窗口熱量過高時，可以有效保證電子器件的安全性。

   氮化鋁陶瓷可用作薄膜材料。氮化鋁薄膜材料在高溫下有良好的熱穩定性和壓電性，能在接近1200℃的高溫環境下工作，是一種性能良好的壓電材料。氮化鋁薄膜可應用在微模塊、傳感器、集成電路和有源元件、MEMS中。

    與其它幾種陶瓷材料相比，氮化鋁陶瓷具備優良的熱、電、力學性能，隨著現代科學技術的飛速發展，氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為廣的應用。

      氮化鋁具有優良的化學性能,能耐除氫氟酸以外的所有無機酸和25%以下的氫氧化鈉溶液腐蝕。它耐氧化的溫度可達1400℃,在還原氣氛中比較高可使用1870℃,對金屬（特別是AL液）尤其對非金屬不潤濕。從以上氮化鋁陶瓷的物理化學性質可知，氮化鋁陶瓷的優異性能對于現代技術經常遇到的高溫、高速、強腐蝕介質的工作環境，具有特殊的使用價值。它突出的優點是：具有以下優點：（1）機械強度高，硬度接近于剛玉。熱壓氮化硅的室溫抗彎強度可以高達780—980MPa，有的甚至更高，能與合金鋼相比，而且強度可以一直維持到1200℃不下降。（2）機械自潤滑，表面摩擦系數小、耐磨損、彈性模量大，耐高溫。（3）熱膨脹系數小，導熱系數大，抗熱震性好。（4）密度低，比重小。（5）耐腐蝕，抗氧化。（6）電絕緣性好。精密氮化鋁陶瓷螺紋加工源頭廠家--鑫鼎陶瓷。

      氮化鋁陶瓷零件特點

      1.硬度大：氮化鋁陶瓷經中科院上海硅酸鹽研究所測定，其洛氏硬度為hra80-90，硬度次于金剛石，遠遠超過耐磨鋼和不銹鋼的耐磨性能。

    2.耐磨性能極好：經中南大學粉末冶金研究所測定，其耐磨性相當于錳鋼的266倍，高鉻鑄鐵的171.5倍。根據我們十幾年來的客戶跟蹤，在同等工況下，可至少延長設備使用壽命十倍以上。

   3.重量輕：其密度為3.5g/cm3，為鋼鐵的一半，可有利減輕設備負荷。

    氮化鋁陶瓷零件精加工：有些氮化鋁陶瓷材料在完成燒結后，尚需進行精加工。如可用作人工骨的制品要求表面有很高的光潔度、如鏡面一樣，以增加潤滑性。由于氮化鋁陶瓷材料硬度較高，需用更硬的研磨拋光磚材料對其作精加工。如sic、b4c或金剛鉆等。通常采用由粗到細磨料逐級磨削，末尾表面拋光。一般可采用氮化鋁（aln）陶瓷具有熱導率高、熱膨脹系數低、電阻率高等特性以及良好的力學性能,被認為是新一代高性能陶瓷基片和封裝的優先材料。 來圖來樣加工氮化鋁圓環底座。常州硬度高隔熱氮化鋁陶瓷源頭生產廠家

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      氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強度性能，在機械行業上可用作切割工具、砂輪和拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。還具有優良的耐磨損性能，可用作耐磨損零件，但由于造價高，只能用于磨損嚴重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包覆AlN涂層，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質的處理器和容器的襯里等。

     氮化鋁陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩定性，在2450℃下才會發生分解，可以用作高溫耐火材料，如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕，可以成為良好的容器和高溫保護層，如熱電偶保護管和燒結器具；也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕，用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現穩定，用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體，可以消除來自玻璃中硅的污染，獲得高純度的砷化鎵半導體。 無錫高韌氮化鋁陶瓷管

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