氮化硅陶瓷的常壓燒結法( PLS)在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內常壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。這種方法的缺點與熱壓燒結相似。
氮化硅陶瓷的氣壓燒結法(GPS)人們對氣壓燒結進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結，在添加較少燒結助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度＞ 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、強度高和好的耐磨性，可直接制取接近形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規模生產。 找技術支持、實力廠家的氮化硅零件廠家--鑫鼎陶瓷。蘇州耐高溫氮化硅陶瓷管
氮化硅陶瓷在機械行業中主要用作閥門、管道、分級輪以及陶瓷刀具，用途比較多是氮化硅陶瓷軸承球。氮化硅軸承球在使用中轉速每分鐘高達60萬轉，其主要用在精密機床主軸、電主軸高速軸承，航空航天發動機、汽車發動機軸承等設備用軸承中。
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點：密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。致密Si3N4陶瓷還表現出高斷裂韌性、高模量特性和自潤滑性，可以出色地抵抗多種磨損，承受可能導致其他陶瓷材料產生裂紋、變形或坍塌的惡劣環境，包括極端溫度、大溫差、超高真空。氮化硅軸承有望在各個行業中獲得廣大的應用。 蘇州耐高溫氮化硅陶瓷管定制多孔氮化硅陶瓷圓盤。
多孔氮化硅陶瓷具有相對較高的抗彎強度和更低的密度，這是其在航空航天領域得到應用的關鍵因素之一。它還具有抗蠕變性(與金屬相比)，可提高結構在高溫下的穩定性。這種材料具有多種附加特性，包括硬度、電磁特性和熱阻，作為透波材料被用來制作天線罩、天線窗。隨著現代工業的發展，導彈向高馬赫數、寬頻帶、多模與精確制導方向發展。氮化硅陶瓷及其復合材料具有的防熱、透波、承載等優異性能，使其成為新一代研究的高性能透波材料之一。
氮化硅 陶瓷的很多性能都歸結于此網絡結構。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結構，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高，故其耐熱沖擊性較好。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會破裂。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損，使其強度降低，在1450℃以上更易出現疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。由于Si3N4 的理論密度低，比鋼和工程超耐熱合金鋼輕得多，所以，在那些要求材料具有強度高、低密度、耐高溫等性質的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金鋼是再合適不過了。 電子陶瓷-氮化硅陶瓷零件源頭廠家---鑫鼎精密。
氮化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，硬度次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性高、機械性能好、高溫抗氧化等優異的物理化學性能。它已成為很有前途的結構陶瓷，可應用于石油化工、冶金機械、微電子器件、航空航天等領域。同時，氮化硅陶瓷還具有中子活性低、抗輻射損傷能力強和高溫結構穩定性好的優點，成為新一代核裂變和未來核聚變反應堆的重要結構材料之一。
隨著陶瓷的基礎研究和新技術開發的不斷進步，特別是復雜件和大型件制備技術的日臻完善，氮化硅陶瓷材料作為性能優良的工程材料將得到更廣大的應用
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氮化硅陶瓷結構中，在β-Si3N4的一個晶胞內有6個Si原子，8個N原子。其中3個Si原子和4個N原子在一個平面上，另外3個Si原子和4個N原子在高一層平面上第3層與第1層相對應，相對β-Si3N4而言,α-Si3N4晶胞參數變化不大，但在C軸方向約擴大一倍，其中還含有3%的氧原子以及許多硅空位，因此體系的穩定性較差。
眾所周知,材料在加熱和冷卻過程中會發生膨脹和收縮,當這種膨脹或收縮受到約束時,就會在材料內產生熱應力通常情況下,存在溫度梯度或不同物相之間熱膨脹失配及同種物相熱膨脹呈現各向異性時,就會在材料內產生熱應力。氮化硅陶瓷屬高溫難溶化學物質，無溶點，抗高溫應力松弛工作能力強，沒有粘接劑的反映煅燒氮化硅負載變軟點在1800℃之上。 蘇州耐高溫氮化硅陶瓷管