導軌電源工作條件輸入電壓范圍:85~264VAC/120~370VDC;交直流兩用(同一端子輸入電壓);工作溫度范圍:-30℃to+70℃、-20℃to+60℃;效率高達90%;低紋波噪聲;4000VAC高隔離電壓;輸出短路、過流、過壓、過溫保護;可安裝在TS-35/;小體積(30mm厚度):適用于小型機箱和狹窄空間安裝使用;符合IEC/EN/UL62368、IEC/EN/UL60335、GB4943、UL508等認證標準。人們我國的規范供電系統是220V交流電,而人們應用的小輸出功率電子設備大部分是沒法承擔那樣的工作電壓的,因此必須開關電源轉換設備把220V交流電轉換為各種各樣電子設備能接納的工作電壓。而導軌開關電源就是說做為那樣的一種開關電源轉換設備的存有為電子設備開展轉換。導軌開關電源指的是根據現代電子技術來操縱打開合閉進而電流量一切正常輸出的一種開關電源元器件。開關電源的關鍵部件就是說脈沖寬度調制(PWM)操縱IC和MOSFET。隨之現代電子技術的不斷進步,開關電源技術性也在不斷的升級發展趨勢的飛速發展。開關電源所反映出的高效率環保節能,方便快捷成本低更是人們人們所要求的。開關電源被普遍應用到各種各樣電子設備設備上,很顯而易見開關電源早已變成電子元器件中不可或缺的一部分。 導軌電源有過/欠壓、過電流、過熱保護及風機散熱等保護功能.tl494開關電源工作原理
可靠性設計的原則我們可以從上面的分析中得出開關電源的可靠性設計原則。4.1可靠性設計指標應包含定量的可靠性要求。4.2可靠性設計與器件的功能設計相結合,在滿足器件性能指標的基礎上,盡量提高器件的可靠性水平。4.3應針對器件的性能水平、可靠性水平、制造成本、研制周期等相應制約因素進行綜合平衡設計。4.4在可靠性設計中盡可能采用國、內外成熟的新技術、新結構、新工藝和新原理。4.5對于關鍵性元器件,采用并聯方式,保證此單元有足夠的冗佘度。4.6原則上要盡一切可能減少元器件使用數目。4.7在同等體積下盡量采用高額度的元器件。4.8選用高質量等級的元器件。4.9原則上不選用電解電容。4.10對電源進行合理的熱設計,控制環境溫度,不致溫度過高,導致元器件失效率增加。4.11盡量選用硅半導體器件,少用或不用鍺半導體器件。4.12應選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件,禁止選用塑料封裝的器件。 開關電源 12v10aLED電源光源熱阻大、光源熱散不出、運用任何導熱膏都會使散熱運動失敗。
開關電源設計要求:一、溫升測試標準1、測試條件及方法:輸入電壓100V/50Hz、264V/50Hz條件下分別測試,輸出負載為額定負載,環境溫度為25℃(開架式),測試時間為2H,器件溫升判定標準見下表:2、測試條件及方法:輸入電壓100V/50Hz、264V/50Hz條件下分別測試,輸出負載為額定負載,環境溫度為25℃,密閉環境測試,測試時間為2H,器件溫度判定標準見下表:①電解電容工作壽命的估算:估算電容的工作壽命應不低于20000小時。②外殼溫度≤55℃環境溫度為25℃,人體可接觸;外殼溫度≤75℃環境溫度為25℃,人體不可接觸;二、元器件降額測試規范電流降額測試條件及方法:輸入電壓90V-264V。
損耗是任何開關電源架構都面臨的問題,如何降低損耗是設計開關電源的重要議題之一。確切來說,開關電源中各個器件的特征參數決定了損耗的大小,因此,本文就分析一下影響開關電源損耗的因素,以及如何降低損耗。總得來說,開關電源的損耗主要來自于以下幾個方面:MOSFET的導通損耗和開關損耗;二極管的導通損耗和開關損耗;功率電感的導通損耗和磁芯損耗;輸入輸出電容的導通損耗;Buck變換器的主要功能是把一個較高的直流輸入電壓轉換成較低的直流輸出電壓。為了達到這個要求,MOSFET以固定頻率(fS),在脈寬調制信號(PWM)的控制下進行開、關操作。當MOSFET導通時,輸入電壓給電感和電容(L和COUT)充電,通過它們把能量傳遞給負載。在此期間,電感電流線性上升,電流回路如回路1所示。當MOSFET斷開時,輸入電壓斷開與電感的連接,電感和輸出電容為負載供電。電感電流線性下降,電流流過二極管,電流回路如回路2所示。MOSFET的導通時間定義為PWM信號的占空比(D)。D把每個開關周期分成[D*tS]和[(1–D)*tS]兩部分,它們分別對應于MOSFET的導通時間(環路1)和二極管的導通時間(環路2)。所有開關電源拓撲(升壓、降壓、反相等)都采用這種方式劃分開關周期,實現電壓轉換。 開關電源芯片內部設有比較大占空比限制(DMAx),典型值約為 90%~95%。所以,D-97%顯然超出了芯片的輸出能力。
開關電源輸出過壓保護電路的作用是:當輸出電壓超過設計值時,把輸出電壓限定在一安全值的范圍內。當開關電源內部穩壓環路出現故障或者由于用戶操作不當引起輸出過壓現象時,過壓保護電路進行保護以防止損壞后級用電設備。應用**為普遍的過壓保護電路有如下幾種:1、可控硅觸發保護電路:如上圖,當Uo1輸出升高,穩壓管(Z3)擊穿導通,可控硅(SCR1)的控制端得到觸發電壓,因此可控硅導通。Uo2電壓對地短路,過流保護電路或短路保護電路就會工作,停止整個電源電路的工作。當輸出過壓現象排除,可控硅的控制端觸發電壓通過R對地泄放,可控硅恢復斷開狀態2、光電耦合保護電路:如上圖,當Uo有過壓現象時,穩壓管擊穿導通,經光耦(OT2)R6到地產生電流流過,光電耦合器的發光二極管發光,從而使光電耦合器的光敏三極管導通。Q1基極得電導通,3842的③腳電降低,使IC關閉,停止整個電源的工作,Uo為零,周而復始,。3、輸出限壓保護電路:輸出限壓保護電路如下圖,當輸出電壓升高,穩壓管導通光耦導通,Q1基極有驅動電壓而道通,UC3842③電壓升高,輸出降低,穩壓管不導通,UC3842③電壓降低,輸出電壓升高。周而復始,輸出電壓將穩定在一范圍內(取決于穩壓管的穩壓值)。LED開關電源在高新技術領域的應用,推動了高新技術產品的小型化、輕便化。開關電源36v
開關電源一般由脈沖寬度調制(PWM)控制IC和MOSFET構成。tl494開關電源工作原理
開關電源高頻化是其發展的方向,高頻化使開關電源小型化,并使開關電源進入更的應用領域,特別是在高新技術領域的應用,推動了高新技術產品的小型化、輕便化。另外開關電源的發展與應用在節約能源、節約資源及保護環境方面都具有重要的意義。開關電源中應用的電力電子器件主要為二極管、IGBT和MOSFET。SCR在開關電源輸入整流電路及軟啟動電路中有少量應用,GTR驅動困難,開關頻率低,逐漸被IGBT和MOSFET取關電源就是把交流電通過整流濾波變成質量。 tl494開關電源工作原理
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