芯片制造的工藝復雜、流程眾多，而晶圓切割就是半導體封測工藝中不可或缺的一道工序，晶圓切割就是將單一晶圓進行切割制作成一個個晶粒單元，但由于晶粒本身比較脆弱、相互之間距離小，并且切割時還需要注意晶粒不被污染、避免出現崩塌或者裂痕現象，因此晶圓切割對于技術和切割設備的要求都極高。在晶圓切割過程中，通常要用到的一項精密切割設備就是晶圓切割機，晶圓切割機可使安裝在主軸上的砥石高速旋轉，從而切斷硅晶圓。近幾年，隨著激光技術的發展，激光切割機逐漸成為了芯片制作領域的研究熱點。由于激光切割為非接觸式加工過程，其不僅切割精度高、效率高，而且可以避免對晶體硅表面造成損傷，大幅提升芯片生產制造的質量和效率。無錫超通智能告訴您超快激光玻璃晶圓切割設備的選擇方法。天津智能制造超快激光玻璃晶圓切割設備應用范圍

超通智能本著以質量求生存，以用戶效益求發展，的服務理念，完善的質量管理體系、合理的價格，真誠為用戶提供*的服務。激光屬于無接觸式加工，不對晶圓產生機械應力的作用，對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優點，聚焦點可小到微米數量級，從而對晶圓的微處理具有優越性，可以進行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進行材料加工。大多數材料吸收激光直接將硅材料氣化，形成溝道。從而實現切割的目的因為光斑點較小，較低限度的炭化影響。遼寧加工超快激光玻璃晶圓切割設備價格表無錫超快激光玻璃晶圓切割設備的特點分析。

晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓以 8英寸和 12 英寸為主。激光切割SiC晶圓的方案為激光內部改質切割，其原理為激光在SiC晶圓內部聚焦，在晶圓內部形成改質層后，配合裂片進行晶粒分離。SiC作為寬禁帶半導體，禁帶寬度在3.2eV左右，這也意味著材料表面的對于大部分波長的吸收率很低，使得SiC晶圓與激光內部改質切割擁有較好的相匹配性。

設備介紹超快激光玻璃晶圓切割設備，配備好品質皮秒激光器，通過超高峰值功率的皮秒激光在玻璃晶圓內部產生非線性自聚焦效應，達到激光成絲切割的效果。該設備還可應用于各類透明脆性材料的快速劃線、切割。二、設備特點?高性能皮秒激光器具有超高峰值功率、高光束質量和穩定性、超窄脈寬，聚焦光斑極小，*2-3μm，采用全新的貝塞爾激光成絲技術，可實現3mm玻璃晶圓一刀切；?采用高精密直線電機和全閉環光柵檢測控制系統，加工臺面可達400×400mm，保證穩定高效生產；?配備高像素視覺定位系統，可抓取各類Mark點及輪廓，實現高精度圖像定位加工；?采用天然大理石的機床基座、高剛性結構設計以及減震機床腳杯，很大程度減輕加速過程中產生的慣性震動，并可有效防止環境溫度變化引起的床身精度變化。超快激光玻璃晶圓切割設備的價格更優惠。

激光劃片是利用高能激光束照射工件表面，使被照射區域局部熔化、氣化，從而達到去除材料，實現劃片的過程。激光劃片是非接觸式加工，無機械應力損傷，加工方式靈活，不存在刀具損耗和水污染，設備使用維護成本低。為避免激光劃透晶圓時損傷支撐膜，采用耐高溫燒蝕的UV膜。目前，激光劃片設備采用工業激光器，波長主要有1064nm、532nm、355nm三種，脈寬為納秒、皮秒和飛秒級。理論上，激光波長越短、脈寬越短，加工熱效應越小，有利于微細精密加工，但成本相對較高。355nm的紫外納秒激光器因其技術成熟、成本低、加工熱效應小，應用非常***。近幾年1064nm的皮秒激光器技術發展迅速，應用到很多新領域，獲得了很好的效果。超快激光玻璃晶圓切割設備的廠家哪個好？無錫超通智能告訴您。天津智能制造超快激光玻璃晶圓切割設備應用范圍

超快激光玻璃晶圓切割設備的應用范圍十分廣闊。天津智能制造超快激光玻璃晶圓切割設備應用范圍

與YAG和CO2激光通過熱效應來切割不同，紫外激光直接破壞被加工材料的化學鍵，從而達到切割目的，這是一個“冷”過程，熱影響區域小。另外，紫外激光的波長短、能量集中且切縫寬度小，因此在精密切割和微加工領域具有***的應用，目前，激光劃片設備采用工業激光器，波長主要有 1064nm、532nm、355nm 三種，脈寬為ns（納秒）、ps（皮秒）和fs（飛秒）級。理論上，激光波長越短脈寬越短，加工熱效應越小，越有利于微細精密加工，但成本相對較高。天津智能制造超快激光玻璃晶圓切割設備應用范圍

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