閾值電壓會發(fā)生漂移。一般來說，隨著溫度的升高，MOS 管的閾值電壓會降低。這意味著在高溫環(huán)境下，MOS 管更容易導通，可能會導致電路的誤動作。例如，在一些對信號準確性要求較高的傳感器信號處理電路中，如果 MOS 管的閾值電壓漂移，可能會使傳感器輸出的信號出現(xiàn)偏差，影響系統(tǒng)的測量精度。因此，在高溫環(huán)境下使用 MOS 管時，需要對驅(qū)動電路進行相應(yīng)的調(diào)整，以確保 MOS 管能夠正常工作。

漏電流會增大。高溫會使半導體材料中的本征載流子濃度增加，導致 MOS 管的漏電流增大。漏電流的增大不僅會增加電路的功耗，還可能影響電路的穩(wěn)定性。在一些低功耗電路中，漏電流的增大可能會使電路的靜態(tài)功耗超出設(shè)計范圍，縮短電池的使用壽命。例如，在便攜式電子設(shè)備中，MOS 管在高溫環(huán)境下漏電流增大，會使設(shè)備的待機時間明顯縮短，影響用戶體驗。為了減小漏電流的影響，需要選擇在高溫下漏電流特性較好的 MOS 管，并采取適當?shù)纳岷头雷o措施。