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來源: 發布時間:2024-12-21

高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13,進而實現與所述高壓供電管腳hv的連接,接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號地基島14,進而實現與所述信號地管腳gnd的連接。需要說明的是,所述邏輯電路122可根據設計需要設置在不同的基島上,與所述控制芯片12的設置方式類似,在此不一一贅述作為本實施例的一種實現方式,所述漏極管腳drain的寬度大于,進一步設置為~1mm,以加強散熱,達到封裝熱阻的作用。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用三基島架構,將整流橋、功率開關管、邏輯電路及高壓續流二極管集成在一個引線框架內,由此降低封裝成本。如圖4所示,本實施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實施例的合封整流橋的封裝結構1,第二電容c2,第三電容c3,一電感l1,負載及第二采樣電阻rcs2。如圖4所示,所述合封整流橋的封裝結構1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號地管腳gnd接地。如圖4所示,所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖4所示,所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv,另一端經由所述一電感l1連接所述合封整流橋的封裝結構1的漏極管腳drain。如圖4所示。流橋的構造如,可以將輸入的含有負電壓的波形轉換成正電壓。西藏整流橋模塊現價

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所述一整流二極管及所述第二整流二極管的負極粘接于所述高壓供電基島上,正極分別連接所述火線管腳及所述零線管腳;所述第三整流二極管及第四整流二極管的正極粘接于所述信號地基島上,負極連接分別連接所述火線管腳及所述零線管腳。可選地,所述至少兩個基島包括火線基島及零線基島;所述整流橋包括第五整流二極管、第六整流二極管、第七整流二極管及第八整流二極管;所述第五整流二極管及所述第六整流二極管的負極分別粘接于所述火線基島及所述零線基島上,正極連接所述信號地管腳;所述第七整流二極管及所述第八整流二極管的正極分別粘接于所述火線基島及所述零線基島上,負極連接所述高壓供電管腳。更可選地,所述合封整流橋的封裝結構還包括電源地管腳,所述整流橋的第二輸出端通過基島或引線連接所述電源地管腳。更可選地,所述合封整流橋的封裝結構還包括高壓續流二極管,所述高壓續流二極管的負極通過基島或引線連接所述高壓供電管腳,正極通過基島或引線連接所述漏極管腳;所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。更可選地,所述合封整流橋的封裝結構還包括瞬態二極管及高壓續流二極管;所述瞬態二極管的正極通過基島或引線連接所述高壓供電管腳。福建優勢整流橋模塊貨源充足整流橋的結--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。

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這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4(其導熱系數小于.℃),因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時,這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時,對測溫熱電偶位置的放置不同,得到的結果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進一步說明,在整流橋內部由于器封裝材料是導熱性能較差的FR4,所以其內部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關的其它功率元器件溫度分布時,應著重注意該現象,力圖避免該影響對測量或測試結果產生的影響。折疊結論通過前面對整流橋三種不同形式散熱的分析并結合對一整流橋詳細的仿真模型的分析結果,我們可以得出如下結論:1、在計算整流橋的結溫時,其生產廠家所提供的Rjc(強迫風冷時)是指整流橋的結與散熱器相接觸的整流橋殼體表面間的熱阻;2、器件參數中所提供的Rja是指該器件在自然冷卻是結溫與周圍環境間的熱阻;3、對帶有散熱器的整流橋且為強迫風冷散熱地殼溫測量時,應該采用與整流橋殼體相接觸的散熱器表面溫度作為計算的殼溫,必要時可以考慮整流橋與散熱器間的接觸熱阻。不應該采用整流橋殼體正面上的溫度作為計算的殼溫。

本實用新型屬于電磁閥技術領域,尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構。背景技術:大多數家用電器上使用的需要實現全波整流功能的進水電磁閥,普遍將整流橋堆設置在電腦板等外部設備上,占用了電腦板上有限的空間,造成制造成本偏高,且有一定的故障率,一旦整流橋堆失效,整塊電腦板都將報廢。雖然目前市場上出現了內嵌整流橋堆的進水電磁閥,但有些由于繞組塑封的結構不合理,金屬件之間的爬電距離設置過小,導致產品的電氣性能較差,安全性較差,在一些嚴酷條件下使用很容易損壞塑封,引起產品失效,嚴重的會燒毀家用電器;有些由于工藝過于復雜,橋堆跟線圈在同一側,導致橋堆在線圈發熱時損傷。技術實現要素:本實用新型為了克服現有技術的不足,提供一種電氣性能和可靠性高的電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構。為了實現上述目的,本實用新型采用以下技術方案:一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構,包括線圈架、設于所述線圈架上的繞組、設于所述線圈架上的插片組件及套設于所述線圈架外的塑封殼,所述插片組件設于線圈架上部的一插片和與所述線圈架上部插接配合的多個第二插片;所述一插片與所述第二插片通過整流橋堆電連。推薦的,所述一插片為兩個。推薦的。按整流變壓器的類型可以分為傳統的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。

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所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設置為大于2mm,不能低于,包括但不限于~2mm,2mm~3mm,進而滿足高壓的安全間距要求。作為本實施例的一種實現方式,所述信號地管腳gnd的寬度大于,進一步設置為~1mm,以加強散熱,達到封裝熱阻的作用。在本實施例中,如圖1所示,所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側,所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側。需要說明的是,各管腳的排布位置及間距可根據實際需要進行設定,不以本實施例為限。如圖1所示,所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳,第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳,一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳,第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳。具體地,作為本實用新型的一種實現方式,所述整流橋包括四個整流二極管,各整流二極管的正極和負極分別通過基島或引線連接至對應管腳。在本實施例中,所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現,其中,一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。有多種方法可以用整流二極管將交流電轉換為直流電,包括半波整流、全波整流以及橋式整流等。西藏整流橋模塊現價

整流橋,就是將橋式整流的四個二極管封裝在一起,只引出四個引腳。西藏整流橋模塊現價

n型二極管的下層為n型摻雜區,上層為p型摻雜區,下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,p型二極管的下層為p型摻雜區,上層為n型摻雜區,下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于信號地基島14上,負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第四整流二極管dz4的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上,負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。需要說明的是,所述整流二極管可以是由單一pn結構成的二極管,也可以是通過其他形式等效得到的二極管結構,包括但不限于mos管,在此不一一贅述。需要說明的是,本實用新型中所述的“連接至管腳”包括但不限于通過金屬引線直接連接管腳(金屬引線的一端設置在管腳上),還包括通過金屬引線連接與管腳連接的導電部件。西藏整流橋模塊現價

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