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2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇

來源: 發布時間:2025-07-23

在選礦過程中,自磨機、半自磨機和球磨機是三種常用的磨礦設備,它們在結構、工作原理、使用介質以及適用范圍上各有不同。自磨機利用礦石自身作為研磨介質,在磨機筒體內通過礦石的相互碰撞和磨剝作用,使礦石達到粉碎和磨細的效果。自磨機沒有其他的研磨介質,完全依靠礦石本身的磨剝。半自磨機在自磨的基礎上,添加了一定量的鋼球作為輔助研磨介質。礦石和鋼球在筒體內被提升到一定高度后下落,利用沖擊力和研磨力粉碎礦石。球磨機使用鋼球作為主要研磨介質,通過鋼球和礦石的相互作用,利用沖擊力和摩擦力將礦石粉碎。球磨機可以分為干法和濕法兩種磨礦方式。2025華南國際先進陶瓷展,9月10-12日,深圳福田會展中心!堅固而柔韌的陶瓷氣凝膠!就在9月10-12日,華南國際先進陶瓷展!2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇

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在現代工業中,陶瓷材料因其獨特的物理化學性質扮演著重要角色。鋁基陶瓷中的氮化鋁(AlN)和氧化鋁(Al?O?)是兩類備受關注的材料,但兩者的市場地位卻截然不同:氧化鋁占據主流,而氮化鋁的普及率不足30%。為何性能更優的氮化鋁未能取代氧化鋁?本文將深入探討其背后的科學邏輯與產業現實。氮化鋁的熱導率(170-200 W/(m·K))是氧化鋁(20-30 W/(m·K))的7-10倍。氮化鋁的介電常數(8.8)低于氧化鋁(9.8),且在高溫(>500℃)或高濕環境下,其絕緣電阻穩定性更優。氮化鋁對熔融金屬(如鋁、銅)的耐腐蝕性遠強于氧化鋁,且在強輻射環境下(如核工業),其晶體結構更不易被破壞。氮化鋁的產業化之路,始于一場與物理極限的較量。其合成工藝需在1800℃以上的高溫氮氣環境中完成,鋁粉純度必須高于99.99%,任何細微的氧雜質(超過0.1%)都會引發AlON雜相的生成,如同在純凈的晶體中埋下“導熱**”,使熱導率驟降30%以上。氧化鋁的制備,則是一曲工業化的成熟樂章。其原料成本低廉,工藝窗口寬泛,1500℃以下的常規燒結即可獲得致密陶瓷,生產成本*為氮化鋁的1/3至1/2。這種“碾壓級”的成本優勢,讓氧化鋁在工業化賽道上**。  2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!3月6日先進陶瓷技術與裝備展2025年SiC市場趨勢:技術突破、價格戰與產業洗牌,9月華南國際先進陶瓷展,就在深圳福田會展中心!

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全球半導體用氮化鋁陶瓷加熱器市場在2022年規模達到了535.05百萬美元,同比增長7.13%,預計2029年將市場規模將達到848.21百萬美元,2023-2029年復合增長率(CAGR)為6.72%。從企業來看,國內半導體用氮化鋁陶瓷加熱器的主要生產商主要以日本,美國和韓國的企業為主,國外企業在這些年占據**產品主要市場,中國市場**廠商包括NGK 等,按銷售額計2022年中國市場**大廠商占有大約81%的市場份額。整體市場集中度較高,國內市場基本上由國外企業壟斷。從產品類型方面來看,2022年,8英寸加熱器銷量占比為65.55%,銷售額達到90.35百萬美元,預計2029年達到148.34百萬美元,未來幾年的符合增長率為7.41%。隨著半導體產業的不斷發展和應用領域的不斷拓展,半導體用氮化鋁陶瓷加熱器的應用市場將會繼續擴大。同時,隨著技術的不斷提高和成本的不斷降低,氮化鋁陶瓷加熱器的性能和價格將更加優越,有望逐步替代傳統的加熱元件。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!

陶瓷氣凝膠是高效、輕質且化學穩定的隔熱材料,但其脆性和低強度阻礙了其應用。已經開發了柔性納米結構組裝的可壓縮氣凝膠來克服脆性,但是它們仍然表現出低強度,導致承載能力不足。在這里,我們設計并制作了一個疊層 SiC-SiOx 納米線氣凝膠表現出可逆的壓縮性、可恢復的翹曲變形、延展性拉伸變形,同時具有比其他陶瓷氣凝膠高一個數量級的**度。氣凝膠還表現出良好的熱穩定性,從液氮中的-196°C到丁烷噴燈中的1200°C以上,并且具有良好的隔熱性能,熱導率為39.3 ± 0.4 mW m?1 K?1 。這些綜合性能使氣凝膠成為機械強度高且高效的柔性隔熱材料頗具前景的候選材料。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展,就在9月10-12日,深圳會展中心(福田)2號館!先進陶瓷材料如何助力航空航天及新能源等領域?2025華南國際先進陶瓷展,9月深圳福田,等您來一碳究竟!

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半導體情報 (SC-IQ) 估計,2024 年半導體資本支出 (CapEx) 為 1550 億美元,比 2023 年的 1640 億美元下降 5%。我們對 2025 年的預測為 1600 億美元,增長 3%。2025 年的增長主要由兩家公司推動。比較大的代工公司臺積電計劃 2025 年的資本支出在 380 億美元至 420 億美元之間。使用中間值,這將增加 100 億美元或 34%。美光科技預計其截至 8 月的 2025 財年的資本支出為 140 億美元,比上一財年增加 60 億美元或 73%。不包括這兩家公司,2025 年半導體總資本支出將比 2024 年減少 120 億美元或 10%。資本支出比較大的三家公司中有兩家計劃在 2025 年大幅削減開支,英特爾下降 20%,三星下降 11%。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!鏈接大灣區,輻射東南亞!9月10日深圳會展中心福田,2025華南國際先進陶瓷展覽會開啟無限商機!2025年3月10日上海國際先進陶瓷及粉末冶金展

AMB陶瓷基板能為碳化硅帶來什么?來9月華南國際先進陶瓷展,碳尋行業技術新優解!2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇

碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料,憑借其***的物理性能,廣泛應用于新能源汽車、5G通信、光伏、智能電網等多個領域。當前,碳化硅晶體生長技術正快速發展,并逐漸成為半導體產業的**技術之一。目前,碳化硅襯底廠商正在經歷從6英寸到8英寸襯底的技術過渡。6英寸襯底技術已經相對成熟,但其生產成本較高,價格已大幅下降至2500-2800元(較2023年初下降超過40%)。與此相比,8英寸襯底技術的研發仍處于小批量生產階段,且受限于良率和均勻性等問題,價格仍維持在8000-10000元之間。隨著競爭的加劇,許多中小型襯底廠商采取低價策略來爭奪市場份額,這導致了嚴重的“內卷”,有可能出現低質量的襯底產品,進而影響下游應用廠商的產品質量與體驗。長期低于成本的價格競爭可能使一些襯底廠商面臨資金鏈斷裂的風險,甚至導致破產清算。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!2025年3月10日中國上海市先進陶瓷技術論壇

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