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中山cvd真空鍍膜廠家

來源: 發布時間:2021-10-21

真空鍍膜就是將塑膠,薄膜等制品置于高真空爐內。對鋁,錫,銦等金屬加熱,使之蒸發形成金屬氣體,金屬氣體在高真空條件下自由散發,冷卻后附著于被蒸鍍物表面上,形成金屬薄膜。 真空鍍膜為什么要噴底漆和面漆?真空鍍膜前噴底漆能增加金屬層和塑材之間的附著度,使塑材表面平坦光滑。電鍍后光澤度好。-真空鍍膜后噴面漆起保護鍍層,防止氧化,污染。增強表面耐磨。耐刮性能。通過增加染料等物質達到表面美觀多樣化的目的。-真空不導電電鍍和普通真空電鍍有何區別?真空不導電電鍍,又稱NCVM。普通真空電鍍習慣稱PVD。真空不導電電鍍的加工工藝緣于普通真空電鍍,卻比其制程復雜的多,主要區別是其電鍍區域不導電,從而不影響手機等通訊公具的收訊效果(如無雜音,對人產生影響等。)現在3G產業中,廣為流傳推廣的表面處理就是NCVM。-真空鍍膜技術初現于20世紀30年代,四五十年代開始出現工業應用。中山cvd真空鍍膜廠家

真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較,具有下列優點:(1)薄膜和基體選材廣,薄膜厚度可進行控制,以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。(2)在真空條件下制備薄膜,環境清潔,薄膜不易受到污染,因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。(3)薄膜與基體結合強度好,薄膜牢固。(4)干式鍍膜既不產生廢液,也無環境污染。真空鍍膜技術主要有真空蒸發鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較,具有上述一些優點。廣東省汽車真空鍍膜工藝流程一種塑料表面真空鍍膜方法與流程。

真空鍍膜底漆底涂處于基材和真空鍍層之間,其作用主要有:(1)通過底涂封閉基材,防止真空鍍膜時基材中的揮發性雜質逸出,影響鍍膜質量;(2)塑料表面較粗糙,底涂預處理后,可通過涂層獲得光滑平整的鏡面效果;(3)在薄膜材料上預涂底漆可進一步加強薄膜的阻隔性;(4)預涂底漆有利于獲得更厚的真空鍍層,展現出更高的反射效果和力學性能;(5)某些表面極性較低的基材如PP等與鍍層的附著力較差,通過底漆可獲得較好的鍍層附著性;(6)對某些耐熱性較差的塑料基材,底涂可以起到一定的熱緩沖作用,保護基材免遭熱致形變。

真空鍍膜技術具有以下特點:(1)各種鍍膜技術都需一個特定的真空環境,以保證制膜材料在加熱蒸發或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動,不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾,并消除大氣中雜質的不良影響。(2)各種鍍膜技術都需有一個蒸發源或靶子,以便把蒸發制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進,擴大了制膜材料的選用范圍,無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質,都可以蒸鍍各種金屬膜和介質膜,還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。(3)蒸發或濺射出來的制膜材料,在與待鍍的工件生成薄膜的過程中,對其膜厚可進行比較精確的測量和控制,從而保證膜厚的均勻性。(4)每種薄膜都可以通過微調閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質量分數,從而防止蒸鍍材料的氧化,把氧的質量分數降低到小的程度,還可以充入惰性氣體等,這對于濕式鍍膜而言是無法實現的。(5)由于鍍膜設備的不斷改進,鍍膜過程可以實現連續化,從而提高產品的產量,而且在生產過程中對環境無污染。(6)由于在真空條件下制膜,所以薄膜的純度高、密實性好、表面光亮不需再加工,這就使得薄膜的力學性能和化學性能比電鍍膜和化學膜好。真空鍍膜設備的正常工作條件和維修保養方法。

真空鍍膜的方法很多,主要有:(1)真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結而成薄膜。(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內,保持壓強約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。(3)化學氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物,獲得沉積薄膜的過程。(4)離子鍍:實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合,兼有兩者的工藝特點。表6-9列出了各種鍍膜方法的優缺點。真空鍍膜的功能是多方面的,這也決定了其應用場合非常豐富。上海燈飾真空鍍膜流程

中國塑料件真空鍍膜市場研究及發展趨勢預測。中山cvd真空鍍膜廠家

真空鍍膜機操作方法。①檢查真空鍍膜機各操作控制開關是否在"關"位置。②打開總電源開關,設備送電。③低壓閥拉出。開充氣閥,聽不到氣流聲后,啟動升鐘罩閥,鐘罩升起。④安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉動圓盤上。把鋁絲穿放在螺旋加熱子內。清理鐘罩內各部位,保證無任何雜質污物。⑤落下鐘罩。⑥啟動抽真空機械泵。⑦開復合真空計電源(復合真空計型號:Fzh-1A)。a.左旋鈕“1”順時針旋轉至指向2區段的加熱位置。b.低真空表“2”內指針順時針移動,當指針移動至110mA時,左旋鈕"1"旋轉至指向2區段測量位置。⑧當低真空表“2”內指針再次順時針移動至6.7Pa時,低壓閥推入。這時左旋鈕“1”旋轉至指向1區段測量位置。⑨真空鍍膜機開通冷卻水,啟動擴散泵,加熱40min。⑩低壓閥拉出。重復一次⑦動作程序:左下旋鈕“1”轉至指向2區段測量位置。低真空表“2”內指針順時針移動,當指針移動至6.7Pa時,開高壓閥(閥桿順時針旋轉)。?等低真空表“2”內指針右移動至0.1Pa時,開規管燈絲開關。中山cvd真空鍍膜廠家

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