真空鍍膜就是將塑膠，薄膜等制品置于高真空爐內。對鋁，錫，銦等金屬加熱，使之蒸發形成金屬氣體，金屬氣體在高真空條件下自由散發，冷卻后附著于被蒸鍍物表面上，形成金屬薄膜。 真空鍍膜為什么要噴底漆和面漆?真空鍍膜前噴底漆能增加金屬層和塑材之間的附著度，使塑材表面平坦光滑。電鍍后光澤度好。-真空鍍膜后噴面漆起保護鍍層，防止氧化，污染。增強表面耐磨。耐刮性能。通過增加染料等物質達到表面美觀多樣化的目的。-真空不導電電鍍和普通真空電鍍有何區別?真空不導電電鍍，又稱NCVM。普通真空電鍍習慣稱PVD。真空不導電電鍍的加工工藝緣于普通真空電鍍，卻比其制程復雜的多，主要區別是其電鍍區域不導電，從而不影響手機等通訊公具的收訊效果(如無雜音，對人產生影響等。)現在3G產業中，廣為流傳推廣的表面處理就是NCVM。-真空鍍膜設備使用注意事項。硅膠真空鍍膜技術

真空鍍膜機詳細鍍膜方法如下：1、檢查真空鍍膜設備各操作控制開關是否在"關"位置。2、打開總電源開關，真空鍍膜設備送電。3、低壓閥拉出。開充氣閥，聽不到氣流聲后，啟動升鐘罩閥，鐘罩升起。4、安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉動圓盤上。把鋁絲穿放在螺旋加熱子內。清理鐘罩內各部位，保證無任何雜質污物。5、落下鐘罩。6、啟動真空鍍膜設備抽真空機械泵。7、開復合真空計電源。1）左旋鈕“1”順時針旋轉至指向2區段的加熱位置。2）低真空表“2”內指針順時針移動，當指針移動至110mA時，左旋鈕"1"旋轉至指向2區段測量位置。8、當低真空表“2”內指針再次順時針移動至6.7Pa時，低壓閥推入。這時左旋鈕“1”旋轉至指向1區段測量位置。9、真空鍍膜設備開通冷卻水，啟動擴散泵，加熱40min。10、低壓閥拉出。重復一次⑦動作程序：左下旋鈕“1”轉至指向2區段測量位置。低真空表“2”內指針順時針移動，當指針移動至6.7Pa時，開高壓閥。等低真空表“2”內指針右移動至0.1Pa時，開規管燈絲開關。1）發射、零點測量鈕“9”旋轉至指向發射位置。2）左下旋鈕“1”旋轉至指向1區段測量位置。湖北塑膠真空鍍膜材料真空離子鍍膜的鍍層材料是在真空的環境下通過等離子體沉積在工件表面，解決了化學鍍膜中的溶液污染問題。

一般來說塑料表面本身具有0.51nn左右的粗糙度，真空鍍膜的厚度不超過0.2μm，無法填平基材表面的凹凸不平，得不到理想的鏡面效果，UV涂層厚度達到10-20μm，表面平整度在0.1μm以下，可填平基材缺陷并得到理想的鍍膜效果。三，獲得更厚的真空電鍍層.用底漆過渡,有利于獲得更厚獲得更厚的鍍層,使產品得到更高的反射效果和力學性能。四，附著性.對于一些極性較差的塑膠,通過底漆過渡,可以獲得較強的鍍層附著性。五，耐熱性.塑膠熱變形溫度一般較低,通過底漆過渡,可以起到一定的熱緩沖作用,保護塑膠免遭熱變形。

UV是一種鍍膜環保油墨，UV真空鍍膜簡單理解就是產品要用UV油做環保鍍膜加工。像一些手機殼內的都是采用這種鍍膜方式的。不然過不了環保。下面潤溢鍍膜為您介紹下UV真空鍍膜是什么鍍膜。UV真空鍍膜涂料主要由紫外光固化樹脂、單體、光引發劑、色料、流平劑、附著力促進劑等組成，根據應用面分工，主要由UV真空鍍膜底漆和UV真空鍍膜面漆組成，為了匹配現代新的鍍膜技術，有的還加有真空鍍膜中涂層。V真空鍍膜涂料主要由紫外光固化樹脂、單體、光引發劑、色料、流平劑、附著力促進劑等組成，根據應用面分工，主要由UV真空鍍膜底漆和UV真空鍍膜面漆組成，為了匹配現代新的鍍膜技術，有的還加有真空鍍膜中涂層。潤溢分享:真空鍍膜概述。

潤溢UV鍍膜生產工藝的流程及參數：一：檢查線體，確認各系統（除塵、噴槍、壓縮空氣、紅外加熱和UV固化）運轉正常；二：清洗基材表面，去除油污（用干凈無塵布蘸白電油或異丙醇擦拭表面，并立即干燥）；三：基材靜電除塵；四：噴涂底漆，膜厚：10～30微米，可根據具體基材和要求調整；五：在30℃～70℃的紅外環境下的流平5～15分鐘；六：UV固化，曝光能量：600～1200mJ/cm2；七：下線，稍冷卻，真空鍍膜（銦、銦-錫、鋁等）；八：鍍膜完畢靜置冷卻（一般≥5分鐘，不超過4小時），再上中漆線體，或直接上面漆線體；九：噴涂中漆，膜厚：4～12微米，可根據需要添加色漿；十：在30℃～70℃的紅外環境下的流平5～15分鐘；十一：UV固化，曝光能量：300～800mJ/cm2；十二：噴涂面漆，膜厚：10～30微米，可根據需要添加色漿或啞漿；十三：在30℃～70℃的紅外環境下的流平5～15分鐘；十四：UV固化，曝光能量：800～1500mJ/cm2（顏色越深，所需能量越高）；十五：下線檢測。關于塑料真空鍍膜，你了解多少？順德真空鍍膜

UV真空鍍膜涂料是在UV塑料涂料基礎上發展起來的一種新型紫外光固化涂料。硅膠真空鍍膜技術

真空鍍膜技術主要有真空蒸發鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：(1)各種鍍膜技術都需要一個特定的真空環境，以保證制膜材料在加熱蒸發或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質的不良影響。(2)各種鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子，以便把蒸發制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進，擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。(3)蒸發或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。硅膠真空鍍膜技術

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