在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業應用，工業化大規模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得的應用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬于物liqi相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。UV是一種鍍膜環保油墨。順德金屬表面真空鍍膜加工

PVD技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時，由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為處理工藝用于高速鋼和硬質合金類的薄膜刀具上。由于采用PVD工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們在競相開發高性能、高可靠性設備的同時，也對其應用領域的擴展，尤其是在高速鋼、硬質合金和陶瓷類刀具中的應用進行了更加深入的研究。CVD技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。順德金屬表面真空鍍膜加工真空鍍膜設備這些知識，你都了解嗎？

真空鍍膜時，蒸發料粒子大約只以一個電子伏特的能量向工件表面蒸鍍，在工件表面與鍍層之間，形成的界面擴散深度通常只為幾百個埃（10000埃=1微米=0.0001厘米）。也就是說比一根頭發絲的百分之一還要小。兩者間可以說幾乎沒有連接的過渡層，好似截然分開。而離子鍍時，蒸發料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動能。如果說普通真空鍍膜的粒子相當于一個氣喘吁吁的長跑運動員，那么離子鍍的粒子則好似乘坐了高速火箭的乘客，當其高速轟擊工件時，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴散層，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，也就是說比普通真空鍍膜的擴散深度要深幾十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特別牢。

真空鍍膜的方法很多，主要有：(1)真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。(2)陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1.33～13.3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。(3)化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。(4)離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。表6-9列出了各種鍍膜方法的優缺點。真空鍍膜設備使用注意事項。

真空鍍膜主要有兩個大種類：蒸發沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等。一、對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。厚度均勻性主要取決于：1。基片材料與靶材的晶格匹配程度2、基片表面溫度3.蒸發功率，速率4.真空度5.鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。UV電鍍噴涂與塑料真空鍍膜的區別。杭州玩具真空鍍膜公司

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真空鍍膜與蒸發鍍膜機、濺射鍍膜機相比，明顯的特點是荷能離子一邊轟擊基體與膜層，一邊進行沉積。荷能離子的轟擊作用所產生一系列的效應，主要有如下幾點：①膜/基結合力（附著力）強，膜層不易脫落。由于離子轟擊基體產生的濺射作用，使基體受到清洗，jihuo及加熱，既可以去除基體表面吸附的氣體和污染層，也可以去除基體表面的氧化物。離子轟擊時鏟射的加熱和缺陷可引起基體的增強擴散效應。既提高了基體表面層組織結晶性能，也提供了合金相形成的條件。而且，較高能量的離子轟擊，還可以產生一定的離子注入和離子束混合效應。②離子鍍膜機由于產生良好的繞射性。在壓力較高的情況下（≧1Pa）被電離的蒸汽的離子或分子在到達基體前的路程上將會遇到氣體分子的多次碰撞。因此，可使膜材粒子散射在基體的周圍。從而改善了膜層的覆蓋性。順德金屬表面真空鍍膜加工

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