耗散因子(DF值)耗散因子是決定電容內(nèi)部功率耗散的一個(gè)物理量，越小越好，一般DF值隨頻率增加而增加。損耗大小對(duì)產(chǎn)品使用影響及可靠性影響說(shuō)明：損耗（DF值）是表征鉭電容器本身電阻能夠造成的無(wú)效功耗比例的一個(gè)參數(shù)，損耗較小的產(chǎn)品ESR也將較小。但損耗大小的微小差別不會(huì)對(duì)使用造成明顯影響，對(duì)工作狀態(tài)的產(chǎn)品的可靠性影響與容量偏差的影響相比較大，但與產(chǎn)品漏電流大小和ESR大小對(duì)使用時(shí)的可靠性的影響相比仍然較小（漏電流大小和ESR大小影響>損耗大小影響>容量偏差的影響），濾波時(shí)如果產(chǎn)品的損耗較大，濾波效果差一些。同時(shí)，損耗較大的產(chǎn)品的抗浪涌能力也較差。3.4阻抗，等效串聯(lián)阻抗(ESR)&感抗ESR是決定電容濾波性能的一個(gè)重要指標(biāo)，鉭電容的ESR主要是由引腳和內(nèi)部電極阻抗引起，是電容在高頻上表現(xiàn)的一個(gè)很重要的參數(shù)，一般來(lái)講，同容量，同電壓值的鉭電容的ESR要低于電解電容，但要高于多層陶瓷電容，ESR隨著頻率和溫度的增加而減少，ESR=DF/WC。在諧振頻率以下，電容的阻抗是電容的容抗和ESR的矢量和，在電容產(chǎn)生諧振以后，電容的阻抗是電容的感抗和ESR矢量和。鉭電容的種類繁多，可以根據(jù)不同的應(yīng)用需求選擇不同的類型。CAK45W-F-25V-22uF-K

鉭電容器使用時(shí)的生產(chǎn)過(guò)程因素導(dǎo)致的失效，很多用戶往往只注意到鉭電容器性能的選擇和設(shè)計(jì),而對(duì)于貼片鉭電容安裝使用時(shí)容易出現(xiàn)的問(wèn)題視而不見(jiàn);舉例如下;A,不使用自動(dòng)貼裝而使用手工焊接,產(chǎn)品不加預(yù)熱,直接使用溫度高于300度的電烙鐵較長(zhǎng)時(shí)間加熱電容器,導(dǎo)致電容器性能受到過(guò)高溫度沖擊而失效.B,手工焊接不使用預(yù)熱臺(tái)加熱,焊接時(shí)一出現(xiàn)冷焊和虛焊就反復(fù)使用烙鐵加熱產(chǎn)品.C,使用的烙鐵頭溫度甚至達(dá)到500度.這樣可以焊接很快,但非常容易導(dǎo)致片式元?dú)饧зN片鉭電容實(shí)際使用時(shí)的可靠性實(shí)際上可以通過(guò)計(jì)算得出來(lái),而我們的很多用戶使用時(shí)設(shè)計(jì)余量不夠,魯棒性很差,小批實(shí)驗(yàn)通過(guò)純屬僥幸,在批生產(chǎn)時(shí)出現(xiàn)一致性質(zhì)量問(wèn)題.此時(shí),問(wèn)題原因往往簡(jiǎn)單被推到電容器生產(chǎn)商身上,忽略對(duì)設(shè)計(jì)可靠性的查找.鉭電容器使用時(shí)的無(wú)故障間隔時(shí)間MTBF對(duì)于很多用戶來(lái)講還是一個(gè)陌生的概念.很多使用者對(duì)可靠性工程認(rèn)識(shí)膚淺.過(guò)于重視實(shí)驗(yàn)而忽略數(shù)學(xué)計(jì)算.導(dǎo)致分電路設(shè)計(jì)可靠性比整機(jī)可靠性低,因此,批量生產(chǎn)時(shí)不斷出現(xiàn)問(wèn)題.不懂得失效是一個(gè)概率問(wèn)題,非簡(jiǎn)單的個(gè)體問(wèn)題.實(shí)際上鉭電容器使用時(shí)容易出現(xiàn)的故障原因和現(xiàn)象還很多,無(wú)法在此一一論述.如果有使用時(shí)的新問(wèn)題,可以及時(shí)交流.CAK45W-F-25V-22uF-K鉭電容的自恢復(fù)能力和動(dòng)作閾值等參數(shù)需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化，以保證電路的安全運(yùn)行。

鉭電容簡(jiǎn)介和基本結(jié)構(gòu)固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結(jié)成陽(yáng)極體,其電介質(zhì)是將陽(yáng)極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質(zhì)膜,其工作電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解形成MnO2,通過(guò)石墨層作為引出連接用。鉭電容性能優(yōu)越，能夠?qū)崿F(xiàn)較大容量的同時(shí)可以使體積相對(duì)較小，易于加工成小型和片狀元件，適宜目前電子器件裝配自動(dòng)化，小型化發(fā)展，得到了***的應(yīng)用，鉭電容的主要特點(diǎn)有壽命長(zhǎng)，耐高溫，準(zhǔn)確度高，但耐電壓和電流能力相對(duì)較弱，一般應(yīng)用于電路大容量濾波部分。

參數(shù)和選型鉭電容器的漏電流和工作溫度之間的關(guān)系鉭電容器的漏電流會(huì)隨使用溫度的增加而增加,此曲線稱作漏電流溫度曲線.但不同廠家生產(chǎn)的相同規(guī)格的產(chǎn)品，常常由于生產(chǎn)工藝和使用的原材料及設(shè)備精度不同而高溫漏電流變化存在非常大的差別.高溫漏電流變化大的產(chǎn)品在高溫狀態(tài)會(huì)由于自己產(chǎn)生的熱量的不斷累積而**終出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象.高溫漏電流變化小的產(chǎn)品在高溫下長(zhǎng)時(shí)間工作，產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性將較高.因此高溫時(shí)產(chǎn)品漏電流變化率的大小可以決定鉭電容器的可靠性.對(duì)于片式鉭電容器,高溫性能高低對(duì)可靠性有決定性的影響.3.2漏電流VS電壓：漏電流的測(cè)試一般是在20℃時(shí)施加額定電壓進(jìn)行測(cè)試，在測(cè)量電路中與電容串接一1000OHM保護(hù)電阻，充電一到五分鐘(KEMET、VISHAY、AVX為兩分鐘、SANYO為五分鐘)，然后測(cè)出漏電流。鉭電容在電子設(shè)備中的使用數(shù)量和類型需要根據(jù)設(shè)備的性能要求和使用環(huán)境等因素進(jìn)行合理規(guī)劃。

電路峰值輸出電流過(guò)大(使用電壓合適)鉭電容器在工作時(shí)可以安全承受的比較大直流電流沖擊I,與產(chǎn)品自身等效串聯(lián)電阻ESR及額定電壓UR存在如下數(shù)學(xué)關(guān)系;I=UR/1+ESR如果一只容量偏低的鉭電容器使用在峰值輸出電流很大的電路,這只產(chǎn)品就有可能由于電流過(guò)載而燒毀.這非常容易理解.3.鉭電容器等效串聯(lián)電阻ESR過(guò)高和電路中交流紋波過(guò)高導(dǎo)致的失效當(dāng)某只ESR過(guò)高的鉭電容器使用在存在過(guò)高交流紋波的濾波電路,即使是使用電壓遠(yuǎn)低于應(yīng)該的降額幅度,有時(shí)候,在開(kāi)機(jī)的瞬間仍然會(huì)發(fā)生突然的擊穿現(xiàn)象;出現(xiàn)此類問(wèn)題的主要原因是電容器的ESR和電路中的交流紋波大小嚴(yán)重不匹配.電容器是極性元?dú)饧?在通過(guò)交流紋波時(shí)會(huì)發(fā)熱,而不同殼號(hào)大小的產(chǎn)品能夠維持熱平衡的容許發(fā)熱量不同.由于不同容量的產(chǎn)品的ESR值相差較高,因此,不同規(guī)格的鉭電容器能夠安全耐受的交流紋波值也相差很大,因此,如果某電路中存在的交流紋波超過(guò)使用的電容器可以安全承受的交流紋波值,產(chǎn)品就會(huì)出現(xiàn)熱致?lián)舸┑默F(xiàn)象.同樣,如果電路中的交流紋波一定,而選擇的鉭電容器的實(shí)際ESR值過(guò)高,產(chǎn)品也會(huì)出現(xiàn)相同的現(xiàn)象.一般來(lái)說(shuō),在濾波和大功率充放電電路,必須使用ESR值盡可能低的鉭電容器.對(duì)于電路中存在的交流紋波過(guò)高而導(dǎo)致的電容失效問(wèn)題在高電壓應(yīng)用中，鉭電容具有較好的耐壓性能，能夠保證電路的安全運(yùn)行。CAK45W-D-25V-10uF-K

在維修鉭電容時(shí)，需要遵循安全規(guī)范和操作流程，確保人員和設(shè)備的安全。CAK45W-F-25V-22uF-K

電容失效模式,機(jī)理和失效特點(diǎn)對(duì)于鉭電容，失效與其他類型的電容一樣,也有電參數(shù)變化失效、短路失效和開(kāi)路失效三種。由于鉭電容的電性能穩(wěn)定,且有獨(dú)特的“自愈”特性,鉭電容鮮有參數(shù)變化引起的失效，鉭電容失效大部分是由于電路降額不足，反向電壓，過(guò)功耗導(dǎo)致，主要的失效模式是短路。另外,根據(jù)鉭電容的失效統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),鉭電容發(fā)生開(kāi)路性失效的情況也極少。因此,鉭電容失效主要表現(xiàn)為短路性失效。鉭電容短路性失效模式的機(jī)理是:固體鉭電容的介質(zhì)Ta2O5由于原材料不純或工藝中的原因而存在雜質(zhì)、裂紋、孔洞等疵點(diǎn)或缺陷,鉭塊在經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)時(shí)已將大部分疵點(diǎn)或缺陷燒毀或蒸發(fā)掉,但仍有少量存在。在賦能、老煉等過(guò)程中,這些疵點(diǎn)在電壓、溫度的作用下轉(zhuǎn)化為場(chǎng)致晶化的發(fā)源地—晶核;在長(zhǎng)期作用下,促使介質(zhì)膜以較快的速度發(fā)發(fā)生物理、化學(xué)變化,產(chǎn)生應(yīng)力的積累,到一定時(shí)候便引起介質(zhì)局部的過(guò)熱擊穿。如果介質(zhì)氧化膜中的缺陷部位較大且集中,一旦在熱應(yīng)力和電應(yīng)力作用下出現(xiàn)瞬時(shí)擊穿,則很大的短路電流將使電容迅速過(guò)熱而失去熱平衡,鉭電容固有的“自愈”特性已無(wú)法修補(bǔ)氧化膜,從而導(dǎo)致鉭電容迅速擊穿失效。CAK45W-F-25V-22uF-K